深沟槽型超级结器件及其制作方法技术

本申请公开了一种深沟槽型超级结器件及其制作方法，涉及半导体制造领域。该深沟槽型超级结器件的制作方法包括在衬底表面形成外延层；定义P型区图案，并根据所述P型区图案刻蚀所述外延层，形成深沟槽；对所述深沟槽的底部进行P型离子注入；填充所述深沟槽；解决了目前深沟槽型器件的击穿电压受P型区和N型区浓度匹配程度限制的问题；达到了调节P型区和N型区底部浓度匹配程度，提高器件的击穿电压的效果。

Deep groove superjunction device and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
深沟槽型超级结器件及其制作方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种深沟槽型超级结器件及其制作方法。
技术介绍
功率半导体器件被广泛应用在移动通信、汽车电子、控制电路等方面。传统的功率半导体器件存在击穿电压与导通电阻的矛盾，即功率半导体器件的导通电阻由于受击穿电压的限制而存在一个极限，为了打破这种限制，超级结器件出现。超级结器件中采用一系列交替排列的P型区和N型区作为漂移层，利用P型区和N型区耗尽，实现电荷互相补偿的原理，得到高的击穿电压。目前在制作深沟槽超级结器件时，通常通过刻蚀工艺在半导体衬底中一次挖出深沟槽，然后向深沟槽一次填入P型外延，形成P型区。深沟槽超级结器件的击穿电压与漂移区厚度、P型区和N型区的耗尽程度有关，但深沟槽的深度和P型区、N型区的浓度匹配程度往往受到刻蚀和外延技术、工艺设备等的限制。
技术实现思路
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种深沟槽型超级结器件及其制作方法。该技术方案如下：第一方面，本申请实施例提供了一种深沟槽型超级结器件的制作方法，该方法包括：在衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深沟槽型超级结器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：/n在衬底表面形成外延层；/n定义P型区图案，并根据所述P型区图案刻蚀所述外延层，形成深沟槽；/n对所述深沟槽的底部进行P型离子注入；/n填充所述深沟槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种深沟槽型超级结器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底表面形成外延层；
定义P型区图案，并根据所述P型区图案刻蚀所述外延层，形成深沟槽；
对所述深沟槽的底部进行P型离子注入；
填充所述深沟槽。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述深沟槽的底部进行P型离子注入，包括：
向所述深沟槽的底部注入硼离子。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底表面形成外延层，包括：
在所述N型衬底表面生长N型外延层。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定义P型区图案，并根据所述P型区图案刻蚀所述外延层，形成深沟槽，包括：
在所述外延层上方形成硬掩膜层；
通过光刻工艺定义所述P型区图案，并根据所述P型区图案刻蚀所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜发瑞，冯海浪，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31