接合型半导体受光元件及接合型半导体受光元件的制造方法技术

本发明专利技术是一种接合型半导体受光元件(100)，其是将作为器件功能层(10)的外延层以及与该器件功能层(10)为不同材料的支撑基板(30)经由接合材料层(20)接合而成的接合型半导体受光元件(100)，其特征在于，在所述器件功能层(10)的接合面(10A)形成有凹凸图案(10B)。由此，提供一种可展现优异的机械强度的接合型半导体受光元件(100)，以及可制造机械强度较高的接合型半导体受光元件(100)的制造方法。高的接合型半导体受光元件(100)的制造方法。高的接合型半导体受光元件(100)的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合型半导体受光元件及接合型半导体受光元件的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种接合型半导体受光元件及接合型半导体受光元件的制造方法。

技术介绍

[0002]提出了各种通过将化合物半导体具有的特性与其他功能性基板接合而得到的作为新颖功能性基板的接合型半导体元件。
[0003]在IoT用传感器中，在具有驱动基板的硅基板上安装太阳能电池(PV)作为接收电源(日语：受電源)，安装光电二极管(PD)作为信号接收部，安装激光二极管(LD)或发光二极管(LED)作为信号发送部，而能实现功能性芯片。
[0004]在发光二极管中，提出了一种在硅基板用金属接合方式接合发光层而成的LED，或是在透明蓝宝石基板用透明接合剂接合发光层而成的LED。
[0005]在任一构造中，均存在“将具有不同物性(线膨胀系数或折射率等)的各材料彼此接合而实现”的特征。
[0006]在将各异种材料彼此接合的技术中，逐渐着眼于接合材料本身。接合后的器件有必要实行封装，在封装工艺或封装后的动作过程中，由于受到不少热历程，因此有时会因为伴随异种材料的物性差本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种接合型半导体受光元件，其是将作为器件功能层的外延层以及与该器件功能层为不同材料的支撑基板经由接合材料层接合而成的接合型半导体受光元件，其特征在于，在所述器件功能层的接合面形成有凹凸图案。2.根据权利要求1所述的接合型半导体受光元件，其特征在于，所述器件功能层包含1层以上的由In
x
(Ga
y
Al
1－y
)
1－x
As(0.4≦x≦0.6、0≦y≦1)构成的层，且所述由In
x
(Ga
y
Al
1－y
)
1－x
As构成的层的厚度为0.1μm以上。3.根据权利要求1或2所述的接合型半导体受光元件，其特征在于，所述器件功能层包含1层以上的由InP构成的层，且所述由InP构成的层的厚度为0.1μm以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的接合型半导体受光元件，其特征在于，所述支撑基板包含选自由AlN、Al2O3、Cu、GaAs、GaN、GaP、InP、Si、SiC以及SiO2构成的组中的至少一种且具有结晶或非晶质构造的材料。5.根据权利要求1～4中任一项所述的接合型半导体受光元件，其特征在于，所述接合材料层包含选自由苯环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、低熔点玻璃以及多孔状氧化硅构成的组中的至少一种。6.根据权利要求1～4中任一项所述的接合型半导体受光元件，其特征在于，所述接合材料层包含选自由Au、Ag、Al、Ga、In、Ni、Pt以及Ti构成的组中的至少一种金属。7.一种接合型半导体受光元件的制造方法，其特征在于，包含以下工序：在起始基板上使器件功能层外延生长；在所述器件功能层的表面设置凹凸图案；以及将支撑基板与所述器件功能层经由接合材料层接合。8.根据权利要求7所述的接合型半导体受光元件的制造方法，其特征在于，使包含1层以上的由In
x
(Ga
y

【专利技术属性】
技术研发人员：石崎顺也，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：