光接收装置和测距装置制造方法及图纸

根据本公开内容的光接收装置包括：光接收元件，响应于接收光子而生成信号；读出电路，读出由光接收元件生成的信号；以及保护电路，设置在光接收元件和读出电路之间并且保护读出电路的电路元件免受过电压。此外，根据本公开内容的测距装置包括上述配置的光接收装置。内容的测距装置包括上述配置的光接收装置。内容的测距装置包括上述配置的光接收装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光接收装置和测距装置


[0001]本公开涉及光接收装置和测距装置。

技术介绍

[0002]存在光接收装置(光检测装置)，该光接收装置使用响应于光子的接收而生成信号的元件作为光接收元件(光检测元件)。在这种类型的光接收装置中，例如，测量从光源向测距对象施加的光被测距对象反射并返回时的时间的飞行时间(ToF)方法被用作测量距离测距对象(被测体)的距离的测量方法。
[0003]作为响应于接收光子而生成信号的光接收元件，例如，单光子雪崩二极管(SPAD)元件是已知的。在使用SPAD元件作为光接收元件的光接收装置中，由于光接收装置的配置，通过将不小于击穿电压的电压施加到SPAD元件的阳极电极(或阴极电极)来使用SPAD元件(例如，参见专利文献1)。
[0004]引用列表
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利申请特开第2019
‑
125717号

技术实现思路

[0007]本专利技术要解决的问题
[0008]同时，在SPAD元件被不少于预期(不少于预定量的光)的大量激本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光接收装置，包括：光接收元件，响应于接收光子而生成信号；读出电路，读出由所述光接收元件生成的信号；以及保护电路，设置在所述光接收元件和所述读出电路的输入端之间并且保护所述读出电路的电路元件免受过电压。2.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，所述保护电路包括将过电压箝位至一定电压的箝位电路。3.根据权利要求2所述的光接收装置，其中，所述箝位电路包括：电阻元件，所述电阻元件的一端连接到所述光接收元件；以及第一箝位元件，连接在所述电阻元件的另一端与参考电位节点之间。4.根据权利要求3所述的光接收装置，其中，所述第一箝位元件包括箝位二极管，所述箝位二极管的阴极电极连接至所述电阻元件的所述另一端，并且所述箝位二极管的阳极电极连接至所述参考电位节点。5.根据权利要求3所述的光接收装置，其中，所述箝位电路包括：第二箝位元件，设置在所述第一箝位元件与所述读出电路的所述输入端之间。6.根据权利要求5所述的光接收装置，其中，所述第二箝位元件包括MOS晶体管，所述MOS晶体管连接在所述第一箝位元件与所述读出电路的所述输入端之间，并且其中，所述MOS晶体管的栅电极连接至所述参考电位节点。7.根据权利要求5所述的光接收装置，具有其中堆叠有第一半导体基板和第二半导体基板的至少两个半导体基板的堆叠芯片结构，其中，所述光接收元件被布置在所述第一半导体基板上，以及所述电阻元件、所述第一箝位元件和所述第二箝位元件布置在所述第二半导体基板上。8.根据权利要求5所述的光接收装置，具有其中堆叠有第一半导体基板和第二半导体基板的至少两个半导体基板的堆叠芯片结构，其中，所述光接收元件和所述电阻元件布置在所述第一半导体基板上，以及所述第一箝位元件和所述第二箝位元件布置在所述第二半导体基板上。9.根据权利要求5所述的光接收装置，具有其中堆叠有第一半导体基板和第二半导体基板的至少两个半导体基板的堆叠芯片结构，其中，所述光接收元件、所述电阻元件以及所述第一箝位元件布置所述第一半导体基板上，以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：西野辰树，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：