单面抛光装置及单面抛光方法以及抛光垫制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种单面抛光装置，其具有：具有真空吸附用的沟槽的底部平台；通过真空吸附固定的可拆装的抛光平台；抛光垫；及保持晶圆的抛光头，使保持于抛光头的晶圆的表面与抛光垫滑动接触而进行抛光，所述单面抛光装置中，抛光垫通过依次层叠抛光晶圆的表面的抛光层、第一粘着层、PET片层、第二粘着层、弹性层及用以贴附于抛光平台的第三粘着层而成，且抛光垫的压缩率为16％以上。由此，提供一种单面抛光装置，其在晶圆的单面抛光(特别是在使用真空吸附式的可拆装的抛光平台的单面抛光)中，可抑制晶圆的NT质量在抛光后恶化。抑制晶圆的NT质量在抛光后恶化。抑制晶圆的NT质量在抛光后恶化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单面抛光装置及单面抛光方法以及抛光垫


[0001]本专利技术涉及单面抛光装置及单面抛光方法以及抛光垫，特别涉及抑制抛光后的晶圆的纳米形貌(Nanotopography：以下也称为NT)的恶化的单面抛光装置及单面抛光方法以及抛光垫。

技术介绍

[0002]对于半导体晶圆的抛光中所使用的单面抛光(CMP)(例如专利文献1)，考虑到抛光垫更换的整备抛光所导致的装置运转率下降，从而实施在与加工装置(抛光装置)不同的另一个装置中进行抛光垫的整备，并连同平台一起更换至装置中的方法。作为拆装该平台的方式，采用通过真空吸附将可拆装的抛光平台(以下，也称为拆装平台)固定在装置的底部平台(例如陶瓷制)上的方式。真空吸附方式是在底部平台侧形成同心圆状或放射状的沟路，并将拆装平台放置在该沟槽上而加以真空吸附的方式。已知采用该真空吸附方式的问题在于，拆装平台的厚度为20mm以下时，会产生由真空吸附引起的变形。目前，应用平台厚度为20mm以上30mm以下的拆装平台。
[0003]此时，对于拆装平台，当使用硬度(ASKER
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C)为60、压缩率为1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种单面抛光装置，其具有：在顶面具有真空吸附用的沟槽的底部平台；通过真空吸附固定于该底部平台的顶面的可拆装的抛光平台；贴附于该抛光平台的抛光垫；及保持晶圆的抛光头，使保持于所述抛光头的所述晶圆的表面与所述抛光垫滑动接触而进行抛光，所述单面抛光装置的特征在于，所述抛光垫通过依次层叠抛光所述晶圆的表面的抛光层、第一粘着层、PET片层、第二粘着层、弹性层及用以贴附于所述抛光平台的第三粘着层而成，所述抛光垫的压缩率为16％以上。2.根据权利要求1所述的单面抛光装置，其特征在于，所述弹性层具有PET基材，且在该PET基材上具有由有机硅树脂热交联而成的有机硅片材，所述PET基材位于所述第二粘着层侧，所述有机硅片材位于所述第三粘着层侧，所述有机硅片材的厚度为30μm以上500μm以下。...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野淳一，石井薫，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：