吸除层的形成方法及硅晶圆技术

本发明专利技术是一种吸除层的形成方法，于单晶硅晶圆的内部形成吸除层，其中对该单晶硅晶圆进行激光的照射，将该激光的聚光点对准于该单晶硅晶圆的内部，由此将该单晶硅晶圆的内部的预定的区域予以多晶硅化，而形成作为该吸除层的多晶硅层。

【技术实现步骤摘要】
吸除层的形成方法及硅晶圆
本专利技术涉及具有吸除能力的硅晶圆。
技术介绍
作为对单晶硅晶圆赋予吸除能力的方法，一般会通过RTA等的热处理将氧析出物形成于晶圆内部，赋予所谓的内质吸除(IntrinsicGettering，IG)效果(例如专利文献1)。此外，对于如FZ晶圆、低氧CZ晶圆及磊晶晶圆等难以形成氧析出物的晶圆，为了赋予吸除能力，会将CVD氧化膜等形成于晶圆的背面，赋予外质吸除(ExtrinsicGettering，EG)效果(例如专利文献2)。此外，最近为了也对于Fe等的扩散速度较迟的杂质赋予吸除能力，亦会将离子注射于磊晶晶圆，将吸除层形成于靠近装置形成区域的区域(所谓的接近吸除)(例如专利文献3)。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本特开平10-326790号公报[专利文献2]日本特开平5-29323号公报[专利文献2]日本国际公开2015/034075号
技术实现思路
[专利技术所欲解决的问题]然而，通过上述离子注射的接近吸除的形成中，必须本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种吸除层的形成方法，于单晶硅晶圆的内部形成吸除层，其中/n对该单晶硅晶圆进行激光的照射，将该激光的聚光点对准于该单晶硅晶圆的内部，由此将该单晶硅晶圆的内部的预定的区域予以多晶硅化，而形成作为该吸除层的多晶硅层。/n

【技术特征摘要】
20180608 JP 2018-1102721.一种吸除层的形成方法，于单晶硅晶圆的内部形成吸除层，其中
对该单晶硅晶圆进行激光的照射，将该激光的聚光点对准于该单晶硅晶圆的内部，由此将该单晶硅晶圆的内部的预定的区域予以多晶硅化，而形成作为该吸除层的多晶硅层。


2.如权利要求1所述的吸除层的形成方法，其中该激光的中心波长为900～1100nm。


3.如权利要求1所述的吸除层的形成方法，其中该激光的聚光点中的峰值功率密度为1×108～1×1012W/cm2。


4.如权利要求2所述的吸除层的形成方法，其中该激光的聚光点中的峰值功率密度为1×108～1×1012W/cm2。


5.如权利要求1所述的吸除层的形成方法，其中以使该多晶硅层的厚度成为1nm以上10μm以下的方式，调整该激光的照射条件。


6.如权利要求2所述的吸除层的形成方法，其中以使该多晶硅层的厚度成为1nm以上10μm以下的方式，调整该激光的照射条件。


7.如权利要求3所述的吸除层的形成方法，其中以使该多晶硅层的厚度成为...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲伟峰，砂川健，中杉直，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP