热屏蔽部件、单晶提拉装置及单晶硅锭的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种能够扩大可获得无缺陷的单晶硅的晶体的提拉速度的界限的热屏蔽部件、单晶提拉装置及使用该单晶提拉装置的单晶硅锭的制造方法。本发明专利技术的热屏蔽部件（1）设置在从被配置于石英坩埚的周围的加热器加热并贮存在石英坩埚的硅熔液提拉单晶硅锭（I）的单晶提拉装置中，该热屏蔽部件（1）具备包围单晶硅锭的外周面的圆筒状的筒部（2）及在筒部（2）下部的环状的隆起部（3），该热屏蔽部件（1）的特征在于，隆起部（3）具有上壁（3a）、底壁（3b）及2个纵壁（3c、3d），在被这些壁所围成的空间具有环状的隔热材料（H），与单晶硅锭（I）相邻的一侧的纵壁（3c）和隔热材料（H）之间具有空隙。

Manufacturing method of heat shield parts, single crystal lifting device and single crystal silicon ingot

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热屏蔽部件、单晶提拉装置及单晶硅锭的制造方法
本专利技术涉及一种热屏蔽部件、单晶提拉装置及使用该单晶提拉装置的单晶硅锭的制造方法。
技术介绍
一般而言，使用对利用提拉（Czochralski,CZ）法培育的单晶硅锭实施晶片加工处理而得到的硅晶片作为半导体器件的基板。图1示出利用CZ法培育单晶硅锭的一般的单晶提拉装置的一例。该图所示的单晶提拉装置100在腔室51内设置有用于容纳单晶硅锭I的原料物质的坩埚52，该图所示的坩埚52由石英坩埚52a和石墨坩埚52b构成。在该坩埚52的下部安装有坩埚旋转升降轴53，该坩埚旋转升降轴53使坩埚52沿圆周方向旋转，同时使坩埚52沿铅直方向升降。并且，在坩埚52的周围配置有加热器54，将容纳于坩埚52内的原料物质加热而制成硅熔液M。在腔室51的上部设置有用于提拉单晶硅锭I的提拉轴55，在固定于其前端的籽晶保持器56上保持有籽晶S。并且，在腔室51的上部及下部，分别设置有气体导入口57及气体排出口58，其构成为，在单晶硅锭I的培育中，将惰性气体从气体导入口57供给到腔室51内，使其沿着锭I的外周面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热屏蔽部件，其设置在从被配置于石英坩埚周围的加热器加热并贮存于所述石英坩埚的硅熔液提拉单晶硅锭的单晶提拉装置中，该热屏蔽部件具备包围所述单晶硅锭的外周面的圆筒状的筒部及在所述筒部的下部的环状的隆起部，该热屏蔽部件的特征在于，/n所述隆起部具有上壁、底壁及2个纵壁，在被这些壁所围成的空间具有环状的隔热材料，/n与所述单晶硅锭相邻的一侧的纵壁和所述隔热材料之间具有空隙。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170405 JP 2017-0755341.一种热屏蔽部件，其设置在从被配置于石英坩埚周围的加热器加热并贮存于所述石英坩埚的硅熔液提拉单晶硅锭的单晶提拉装置中，该热屏蔽部件具备包围所述单晶硅锭的外周面的圆筒状的筒部及在所述筒部的下部的环状的隆起部，该热屏蔽部件的特征在于，
所述隆起部具有上壁、底壁及2个纵壁，在被这些壁所围成的空间具有环状的隔热材料，
与所述单晶硅锭相邻的一侧的纵壁和所述隔热材料之间具有空隙。


2.一种热屏蔽部件，其设置在从被配置于石英坩埚周围的加热器加热并贮存于所述石英坩埚的硅熔液提拉单晶硅锭的单晶提拉装置中，该热屏蔽部件具备包围所述单晶硅锭的外周面的圆筒状的筒部及在所述筒部的下部的环状的隆起部，该热...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶原薰，末若良太，仓垣俊二，田边一美，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP