【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种铸造大晶粒多晶硅的方法，具体涉及一种，属于太阳能电池硅片制造领域。
技术介绍
在新能源行业中太阳能发电已经成为一种新能源主要代表之一，作为太阳能电池基本材料的多晶硅片，因铸造工艺与直拉单晶 硅的差异，存在晶粒小、位错多、电池效率低的问题，行业为了解决多晶硅效率问题，生产出了一种介于在多晶硅和单晶硅之间的大晶粒(或者称为准单晶)，但是该类产品需要特殊的籽晶，加工成本比较高，产率低。
技术实现思路
专利技术目的本专利技术要解决的技术问题是提供一种。技术方案一种，包括以下步骤a)将单晶棒按照晶向进行线开方，取下边皮；b)将单晶边皮两端的边缘沿轴向方向各切除10 mm-35 mm ;c)将单晶硅边皮圆弧面朝上，紧密并排或隔开一定距离平铺在坩埚底部，单晶边皮占坩埚底部的面积比例为50%_99% ；d)单晶硅边皮放好后在再装填其他硅料，可以使用粒状料、块状料、回收料、片料，或者是它们的混合搭配；e)加入用于调整电阻率掺杂剂硼；f)将坩埚装好石墨护板后投入多晶炉中，控制石墨加热器的温度，使籽晶上方的硅原料和掺杂剂硼的熔化，通过控制隔热笼升起高度控制底部温度，确保坩埚底部的单晶硅边皮不被全部熔化，通过控制石墨加热器的温度和提升隔热笼，形成垂直的温度梯，单晶边皮诱导晶体定向凝固成大晶粒多晶硅。有益效果通过本方法铸造出的的大晶粒多晶硅光电转换效率高，加工成本低、生产效率高。附图说明图I为单晶边皮加工示意图；图2为单晶边皮摆放示意图；图3为热场示意图。具体实施例方式如图I所示将单晶硅棒按照〈100〉晶向进行线开方，取下边皮，单晶边皮两端的边缘沿轴线方向各切除10...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种利用单晶硅棒开方边皮铸造大晶粒多晶硅的方法，其特征在于包括以下步骤 a)将单晶棒按照晶向进行线开方，取下边皮； b)将单晶边皮两端的边缘沿轴向方向各切除10mm-35 mm; c)将单晶硅边皮圆弧面朝上，紧密并排或隔开一定距离平铺在坩埚底部，单晶边皮占坩埚底部的面积比例为50%-99% ； d)单晶硅边皮放好后在再装填其他硅料，可以使用粒...
【专利技术属性】
技术研发人员：司荣进，袁志钟，杨传伟，王禄宝，
申请(专利权)人：镇江环太硅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。