【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能光伏材料制备领域，具体涉及一种铸造多晶硅或准单晶硅的方法及装置。
技术介绍
目前，利用铸造法生产太阳能用多晶硅的方法受到了越来越多的关注。在铸锭过程中，尤其是高温阶段坩埚表面的SiO2会与石墨护板中的C发生反应生成CO，这样增加了炉内C含量，使SiC杂质沉淀的生成增加，铸造多晶硅中的杂质增加、缺陷密度增大，从而降低铸造多晶硅的成品率和切片良率。局部碳沉淀产生的SiC更是电池片漏电点产生的主要原因之一，同时硅片中杂质含量高导致缺陷密度(隐晶、位错等)偏高，使得漏电流较高，转换效率偏低，降低硅锭中的碳含量成为铸造多晶硅急需解决的主要问题之一。另外，降低硅锭中的碳含量也是采用铸造法生产的准单晶硅急需解决的问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对铸锭过程中坩埚表面SiO2会与石墨护板中的C发生反应导致铸造多晶硅或准单晶硅中的C杂质增加、缺陷密度增大的问题，提供一种铸造多晶硅或准单晶硅的方法，能够降低铸造多晶硅或准单晶硅中的碳含量。一种铸造多晶硅或准单晶硅的方法，包括以下步骤在多晶硅铸锭炉的坩埚和石墨护板之间设置在铸锭过程中，尤其是高温阶段，抑制坩埚外表面...
【技术保护点】
一种铸造多晶硅或准单晶硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：在多晶硅铸锭炉的坩埚和石墨护板之间设置在铸锭过程中抑制坩埚外表面的SiO2和石墨护板中的C发生反应的隔离层；使用所述多晶硅铸锭炉通过定向凝固法铸造多晶硅或准单晶硅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑玉芹，朱常任，胡亚兰，武鹏，周之燕，
申请(专利权)人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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