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本发明涉及一种铸造多晶硅或准单晶硅的方法，包括以下步骤：在多晶硅铸锭炉的坩埚和石墨护板之间设置在铸锭过程中抑制坩埚外表面的SiO2和石墨护板中的C发生反应的隔离层；使用所述多晶硅铸锭炉通过定向凝固法铸造多晶硅或准单晶硅。另外还提出一种铸造多...
该专利属于江苏协鑫硅材料科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏协鑫硅材料科技发展有限公司授权不得商用。

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