【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及自熔化物的片材形成,尤其涉及使熔化物流动或抽汲熔化物的方法。
技术介绍
硅晶圆或片材可用于例如集成电路或太阳能电池产业中。随着对再生性能源的需求增大,对太阳能电池的需求持续增大。大多数太阳能电池由硅晶圆(诸如,单晶硅晶圆)制成。当前,晶体硅太阳能电池的主要成本为制造太阳能电池的晶圆。太阳能电池的效率或在标准照明下所产生的电力的量部分地受此晶圆的品质限制。随着对太阳能电池的需求增大,太阳能电池产业的一个目标为降低成本/电力比率。在不降低品质的情况下在制造晶圆成本方面的任何减少将降低成本/电力比率,且使得能够实现此干净能源技术的更广可用性。 最高效率的硅太阳能电池可具有大于20%的效率。此等太阳能电池是使用电子级单晶硅晶圆制成。可藉由锯切来自使用柴氏(Czochralski)方法所生长的单晶硅圆柱形人造晶体的薄片而制成此等晶圆。此等薄片可小于200 μ m厚。为了维持单晶生长,人造晶体必须自含有熔化物的坩埚缓慢地生长,诸如小于ΙΟμπι/s。后续锯切程序导致每晶圆大约200μπι的锯口损耗,或归因于锯条的宽度的损耗。圆柱形人造晶体或晶圆亦可能需要被弄成 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:彼德·L·凯勒曼,菲德梨克·卡尔森,
申请(专利权)人:瓦里安半导体设备公司,
类型:
国别省市:
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