硅锭的铸造方法技术

本发明专利技术公开了一种硅锭的铸造方法，包括步骤：在坩埚中进行装料，底层原料包括多晶硅粉、中间层原料由单晶硅片拼接而成、上层原料为多晶硅料；将坩埚置于铸锭炉中并抽真空，将多晶硅粉烧结使单晶硅片固定；控制炉内的垂直温度梯度，使单晶硅片的上部部分熔化、并使多晶硅料熔化；控制炉内的垂直温度梯度，使晶粒沿着未熔化的单晶硅片向上生长并得到硅锭。本发明专利技术能提高硅锭的晶粒尺寸、提高由硅锭制成的硅电池片的光电转换效率，能降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏产品制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
太阳能电池的主要原料为硅晶体，包括单晶硅和多晶硅。单晶硅主要采用直拉法制备，其特点是晶体结构完整，晶体缺陷数量低，制备的硅电池光电转换效率高。但是采用该方法制备的硅电池成本较高，生产效率较低。由于其生产技术特点，直拉法生产的单晶硅锭呈圆柱形，在切割成方形电池片的过程中，材料的利用率较低。多晶硅一般采用定向凝固的方法制备，采用方形坩埚，生产效率高，材料利用率高。其缺点是生产出的硅晶体含大量的晶界、位错等缺陷，导致其制备的硅电池光晶转换效·率明显低于单晶硅电池。采用铸造的方法生产出单晶硅电池是一种很有效的解决硅电池成本与转换效率之间的矛盾的方法。美国专利US20070169684和中国专利2010101981425都公开了一种利用坩埚底部放置籽晶即单晶硅诱导液态硅结晶成单晶硅的方法，具有较广阔的应用前景。但是由于固态硅的密度低于液态硅，放置于坩埚底部的固态硅在与液态硅接触润湿后，可能会发生上浮，导致诱导长晶失败。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，能提高硅锭的晶粒尺寸、提高由娃锭制成的娃电池片的光电转换效率，能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅锭的铸造方法，其特征在于，包含以下几个步骤：步骤一、在坩埚中进行装料：首先、在坩埚的底部表面铺设底层原料，所述底层原料包括多晶硅粉；其次、在所述底层原料上铺设中间层原料，所述中间层原料由多块单晶硅片拼接而成；再次、在所述中间层原料上填充上层原料，所述上层原料由多晶硅料组成；所述多晶硅料经过提纯并且根据将要形成的硅锭的目标电阻率添加了掺杂剂；步骤二、将装料后的所述坩埚置于铸锭炉中、并对所述铸锭炉抽真空；对所述坩埚的底部进行加热并到达一定温度，该温度使所述坩埚底部的所述多晶硅粉烧结、并形成烧结层；所述烧结层上面与所述单晶硅片粘结、所述烧结层的下面与所述坩埚底部粘结，从而固定住所述单晶硅片；步...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：史珺，孙文彬，
申请(专利权)人：上海普罗新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：