单晶金刚石材料制造技术

制备生长的单晶金刚石基材的方法，该方法包括：（a）提供呈现出（001）主表面的第一金刚石基材，该主表面受至少一个边缘约束，所述至少一个边缘的长度以至少1.3:1的比值超过与所述至少一个边缘正交的表面的任何尺寸；和（b）在化学气相沉积（CVD）合成条件下在金刚石材料表面的（001）主表面上同质外延生长金刚石材料，金刚石材料垂直于主（001）表面生长，并且由此横向生长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单晶金刚石材料本专利技术涉及通过化学气相沉积(CVD)生长单晶金刚石材料的方法，并且涉及生长的CVD金刚石材料本身。金刚石材料提供了一些独特的性质，包括光学透射、导热性、刚性、耐磨性及其电子性质。虽然金刚石材料的许多机械性质可以在多于一种类型的金刚石材料中实现，但是其它性质对于所使用的金刚石材料类型是非常敏感的。对于一些应用，例如对于最佳的电子性质，通过CVD生长的单晶金刚石材料可以是优选的，因为考虑到其可胜过通过CVD生长的多晶金刚石材料、通过已知的高压-高温(HPHT)技术制备的金刚石材料和天然金刚石。通过CVD方法生长单晶金刚石材料通常涉及将金刚石材料同质外延生长到已有的金刚石板材上。该方法被称为“CVD同质外延合成”，并且在现有技术中是公知的。它通常涉及将不同数量的气体(包括碳源)供给到腔室中，并且激发这些气体，以及提供条件使得在已有的金刚石板材上方产生碳的等离子体，碳原子从等离子体沉积到该金刚石板材上从而形成金刚石材料。通常，有待充当在其上生长CVD金刚石材料的基底基材的已有金刚·石板材是天然金刚石材料或者切割自天然金刚石材料，或者其为制造的HPHT金刚石板材或切割自制造的H本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·J·特威切恩，H·K·迪隆，G·A·斯卡斯布鲁克，
申请(专利权)人：六号元素有限公司，
类型：
国别省市：