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制备生长的单晶金刚石基材的方法，该方法包括：（a）提供呈现出（001）主表面的第一金刚石基材，该主表面受至少一个边缘约束，所述至少一个边缘的长度以至少1.3:1的比值超过与所述至少一个边缘正交的表面的任何尺寸；和（b）在化学气相沉积（CVD...
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