【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】外延片的制造方法
本专利技术涉及一种外延片的制造方法。
技术介绍
对于形成固态图像传感器或其他以晶体管为首的半导体元件的硅基板，要求具有吸除以重金属为首的损害元件特性的元素的功能。对于吸除，提出了在硅基板背面上设置多晶硅(Poly-Si)层、通过喷丸加工形成带伤痕层的方法、或利用硅基板的高浓度硼，形成析出物的各种方法，并将它们实用化。关于通过氧沉淀进行的吸除，对于电负性大的氧，通过捕获电离趋势大(电负性小)的金属来进行吸除。此外，还提出了在元件的有源区附近形成吸除层，即所谓的近邻吸除。例如，有在离子注入有碳的基板上使硅外延生长的基板等。吸除需要将元素扩散至吸除点(金属比起作为单元素而存在，更倾向结合或偏聚在该点上，从而降低整个体系的的能量)。硅中所含的金属元素的扩散系数根据元素的不同而不同，并且由于近年来的工艺低温化，考虑到金属无法扩散至吸除点，提出了近邻吸除的方法。认为若能够在近邻吸除中使用氧气，则可成为具有非常有效的吸除层的硅基板。特别是若为在外延层的中间具有氧原子层的外延片，则即使在近年来的低温工艺中，...
【技术保护点】
1.一种外延片的制造方法，其在硅基板上形成外延层，其特征在于，/n其具有在所述外延层中形成原子层的工序，所述原子层由选自氧、碳、氮、锗、锡、硼及磷组成的组中的一种元素的原子形成，且厚度为5nm以下，/n使用SiH
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170615 JP 2017-1177521.一种外延片的制造方法，其在硅基板上形成外延层，其特征在于，
其具有在所述外延层中形成原子层的工序，所述原子层由选自氧、碳、氮、锗、锡、硼及磷组成的组中的一种元素的原子形成，且厚度为5nm以下，
使用SiH4气体，形成与所述原子层相接的外延层。
2.根据权利要求1所述的外延片的制造方法，其特征在于，将所述原子层形成为单原子层。
3.根据权利要求1或2所述的外延片的制造方法，其特征在于，使用SiH4气体，形成所述外延层的区域中与所述原子层相接的、由该原子层开始至至少5nm的区域。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，在所述外延层中形成多层所述原子层。...
【专利技术属性】
技术研发人员：大槻刚，水泽康，铃木克佳，石崎顺也，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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