【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于SiC异质外延生长的原位刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1，将利用正轴4H或6H的原始碳化硅SiC衬底加工成的加工SiC衬底利用超声进行清洗；步骤2，利用碱性混合剂将所述加工SiC衬底在85度温度下煮浴20分钟，然后用去离子水冲洗；步骤3，利用浓硫酸混合液将所述加工SiC衬底在85度温度下煮浴20分钟，然后用去离子水冲洗；步骤4，利用酸性混合液将所述加工SiC衬底在85度温度下浸泡20分钟，然后用去离子水冲洗；步骤5，利用5％的氢氟酸溶液将所述加工SiC衬底浸浴10分钟，然后用热去离子水和冷去离子水冲洗；步骤6，利用外延炉对零偏角的所述加工SiC衬底进行原位...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吕红亮，贾仁需，王悦湖，汤晓燕，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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