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本发明涉及一种本发明提供了一种用于SiC异质外延生长的原位刻蚀方法，方法包括：将利用正轴4H或6H的原始碳化硅SiC衬底加工成的加工SiC衬底利用超声进行清洗；利用碱性混合剂将加工SiC衬底在85度温度下煮浴20分钟；利用浓硫酸混合液将加工...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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