一种半导体桥多晶硅制备方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体桥多晶硅制备方法，包括如下步骤：采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥，并溅射钛钨金；利用光刻法将电阻的两个端头露出，其余地方用光刻胶遮挡；以钛钨金为底金，进行电镀金；去掉光刻胶，腐蚀掉光刻胶保护的建设钛钨金，并进行清洗；将半导体多晶硅在氮气环境下退火处理得到半导体桥多晶硅。本发明专利技术方法简单、易操作，获得的桥多晶硅颗粒均匀、掺杂浓度高，电阻变化小，性能更加稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制备
，尤其涉及。
技术介绍
半导体桥火工品具有电阻负温度特性、边缘汽化效应、硅熔化时电阻率突降、低熔点和电离等优点，已成为火工品首选器件，广泛应用于火箭、卫星、飞船、飞行员救生以及民用工程爆破、火药动力等装置。多晶硅半导体桥是半导体桥中性价比最好的一种，是各国公司重点开发的产品。但是，多晶硅半导体桥加工中，多晶硅淀积的颗粒、厚度、掺杂等对多晶硅半导体桥的性能影响非常严重。多晶硅厚度太厚会产生龟裂现象，颗粒不均匀会影响多晶硅汽化产生等离子体的时间和临界电流。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种方法简单、易操作，获得的桥多晶硅颗粒均匀、掺杂浓度高，电阻变化小，性能更加稳定的半导体桥多晶硅制备方法。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:，包括如下步骤:采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥，并溅射钛钨金；利用光刻法将电阻的两个端头露出，其余地方用光刻胶遮挡；以钛钨金为底金，进行电镀金；去掉光刻胶，腐蚀掉光刻胶保护的建设钛钨金，并进行清洗；将半导体多晶硅在氮气环境下退火处理得到半导体桥多晶硅。在上述技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体桥多晶硅制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥，并溅射钛钨金；利用光刻法将电阻的两个端头露出，其余地方用光刻胶遮挡；以钛钨金为底金，进行电镀金；去掉光刻胶，腐蚀掉光刻胶保护的建设钛钨金，并进行清洗；将半导体多晶硅在氮气环境下退火处理得到半导体桥多晶硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周祖渝，
申请(专利权)人：重庆市旭星化工有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;85