一种垂直结构功率器件外延层的生长方法及其功率器件技术

本发明专利技术公开了一种垂直结构功率器件外延层的生长方法及其功率器件，该生长方法主要包括以下步骤：1）在光滑的衬底上生长一层或多层外延过渡层；2）对所述外延过渡层的表面进行部分蚀刻处理，以形成具有粗糙面的外延过渡层；3）在经过步骤2）处理后的所述外延过渡层的粗糙面上再生长一层目标外延层，本发明专利技术的生长方法，步骤简单、易于实施，经本方法生长的外延层不仅质量好，而且在后续将衬底剥离后，该外延层仍能保持较好的平整性，有利于后续的工艺加工。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种垂直结构功率器件外延层的生长方法及其功率器件。
技术介绍
外延生长是在单晶衬底(基片)上沿其原来的晶向再生长一层具有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层。目前，在衬底上生长外延层时，会出现以下两种问题:1)在平整的衬底表面生长出的外延层质量较差；2)在粗糙的衬底表面上更有利于外延层的生长，且其上生长的外延层质量要比在平整的衬底表面生长出的质量好，但是，在后期工艺中对衬底进行剥离时，由于衬底表面的不平整性导致剥离后的外延层表面平整性较差。因此，目前迫切需要一种方法使得衬底上生长的外延层不仅质量好，且在剥离衬底后其表面的平整性也好。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种垂直结构功率器件外延层的生长方法，该方法步骤简单易行，不仅提高了外延层的质量，同时在后期工艺中剥离衬底时确保了该外延层的平整性。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是:一种垂直结构功率器件外延层的生长方法，主要包括以下步骤: 1)在光滑的衬底上生长一层或多层外延过渡层；2)对所述外延过渡层的上表面进行部分蚀刻处理，以形成具有粗糙面的外延过渡层；3)在经过步骤2)蚀刻处理后的所述外延过渡层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直结构功率器件外延层的生长方法，其特征在于，主要包括以下步骤：1）在光滑的衬底上生长一层或多层外延过渡层；2）对所述外延过渡层的上表面进行部分蚀刻处理，以形成具有粗糙面的外延过渡层；3）在经过步骤2）蚀刻处理后的所述外延过渡层的粗糙面上再生长一层目标外延层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苗操，伊迪亚·乔德瑞，杨秀程，朱廷刚，艾俊，王科，
申请(专利权)人：江苏能华微电子科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32