【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，所述方法包括提供半导体衬底，作为去耦合电容的下极板，所述半导体衬底中掺杂有离子；在所述半导体衬底上形成图案化的硬掩膜层，并蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成沟槽，以定义所述去耦合电容区；在所述沟槽内沉积介质层，作为所述去耦合电容的介质层；选用导电材料填充所述沟槽，作为所述去耦合电容的上极板；在所述上极板上形成接触孔，以电连接所述去耦合电容。本专利技术所述结构去耦电容可去除高频RF信号的干扰，实现去耦电容与IPD的片内集成，可进一步促进多功能无源器件的小型化。【专利说明】
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及。
技术介绍
对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，已经进行尝试沟通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。 随着半导体技术的不断发展集成电路以及大...
【技术保护点】
一种集成无源器件中去耦合电容的制备方法，包括：提供半导体衬底，作为去耦合电容的下极板，所述半导体衬底中掺杂有离子；在所述半导体衬底上形成图案化的硬掩膜层，并蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成沟槽，以定义所述去耦合电容区；在所述沟槽内沉积介质层，作为所述去耦合电容的介质层；选用导电材料填充所述沟槽，作为所述去耦合电容的上极板；在所述上极板上形成接触孔，以电连接所述去耦合电容。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘煊杰，张海芳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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