一种制作半导体器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供设计掩膜版，所述设计掩膜版包括多个设计主线条图案；通过延长所述设计主线条图案的长度或在所述设计主线条图案的端点处添加辅助虚拟条状图案，进而得到修正后的设计掩膜版；根据所述修正后的设计掩膜版制作光刻掩膜版；使用所述光刻掩膜版对晶片进行光刻和蚀刻；最后根据设计需要使用切割掩膜版切去不需要的辅助线条。根据本发明专利技术的制备半导体器件的方法，解决在进行硅半导体衬底的微图案制程时产生的线条容易断掉的问题，以确保掩膜版上的图案完整的转移到硅半导体衬底上，进而提高了制备的半导体器件结构的可靠性和生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种制作半导体器件的方法
本专利技术涉及半导体制造工艺，特别涉及一种制作半导体器件的方法。
技术介绍
随着半导体集成电路(IC)工业技术日益的成熟，超大规模的集成电路的迅速发展，元器件尺寸越来越小，芯片的集成度越来越高。因器件的高密度，小尺寸的要求对半导体工艺影响也日益突出。在现有的先进工艺中（如28纳米以下工艺代中），随着图案的关键尺寸，即图案的大小减小，半导体器件的速度的提高，半导体器件的集成度增强，在微图案化工艺（micro-patterningprocess）的过程中很容易产生线条断掉（Polylinepinch）的问题，该问题影响半导体器件的性能和成品率。微图案化工艺是把光罩上的图通过曝光多次复制到涂有光刻胶的硅片上，光刻显影后光罩上的图形出现在硅片上。一个光罩上包含了一个或多个芯片所需的图形，硅片表面上涂覆有光刻胶，曝光过程是激光光源发出的紫外光或深紫外光通过对准的光罩，曝光的目的是要把光罩上的图形精确地复制成光刻胶上的最终图形。最后根据光刻胶上的最终图形采用适当的刻蚀方法刻蚀硅片，以形成具有目标图形的硅片，接着，去除光刻胶层。在现有技术中通常采用的微图案化工艺以形成具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体器件的方法，包括：提供设计掩膜版，所述设计掩膜版包括多个设计主线条图案；通过延长所述设计主线条图案的长度或在所述设计主线条图案的端点处添加辅助虚拟条状图案，进而得到修正后的设计掩膜版；根据所述修正后的设计掩膜版制作光刻掩膜版；使用所述光刻掩膜版对晶片进行光刻和蚀刻。

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体器件的方法，包括：提供设计掩膜版，所述设计掩膜版包括多个设计主线条图案；通过延长所述设计主线条图案的长度或在所述设计主线条图案的端点处添加辅助虚拟条状图案，进而得到修正后的设计掩膜版，以实现去除设计主线条图案受到的拉伸应力的作用；根据所述修正后的设计掩膜版制作光刻掩膜版；使用所述光刻掩膜版对晶片进行光刻和蚀刻，以将延长长度的所述设计主线条图案或所述辅助虚拟条状图案以及添加所述辅助虚拟条状图案的所述设计主线条图案转移至所述晶片上。2.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒强，张海洋，李天慧，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31