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本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供设计掩膜版，所述设计掩膜版包括多个设计主线条图案；通过延长所述设计主线条图案的长度或在所述设计主线条图案的端点处添加辅助虚拟条状图案，进而得到修正后的设计掩膜版；根据所述修正后的设计掩膜版制作...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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