一种不规则晶圆的减薄方法技术

本发明专利技术提供一种不规则晶圆的减薄方法，包括下述步骤：步骤一，设定减薄设备减薄目标厚度；步骤二，测量并记录需要减薄的不规则晶圆的外形尺寸；步骤三，提供一片外形完整的陪片，陪片外缘尺寸与减薄设备的工作台盘的环形真空带相吻合；在陪片上确定需要切割的具体尺寸，并对所需切割的尺寸进行标记；步骤四，对步骤三中已作标记的陪片沿标记位置进行切割；步骤五，将步骤四中已切割陪片的中间部分取走，使其中间部位形成一个空缺区域；步骤六，将需减薄的不规则晶圆放置于步骤五中陪片形成的空缺区域，然后使用减薄膜粘贴在不规则晶圆和陪片正面，使得两者成为一个整体。本发明专利技术使原本只能报废的不规则晶圆可以继续被使用，可较大程度地节约成本。

【技术实现步骤摘要】
一种不规则晶圆的减薄方法
本专利技术涉及集成电路制造
，尤其是一种对由于外因导致碎裂或者试验等因素进行分割而形成的不规则晶圆进行减薄的方法。
技术介绍
晶圆经过前道制造工艺已具备相当的价值，由于晶圆本身材料的脆性特点，其在运输、传递及工艺过程中都有可能产生碎裂的风险；另外，由于试验等因素，完整的晶圆通常都会被分割成几个独立的小块。对于上述原因而形成的不规则晶圆通常无法进行减薄。因为现在半导体生产线上的减薄设备多为全自动减薄系统，提供的是完整的晶圆的减薄方案。减薄设备都配置有工作台盘吸附真空度感应装置，进行减薄前，设备会自动检测工作台盘吸附晶圆的真空度是否满足减薄要求，而完整的晶圆其外缘尺寸正好与减薄设备的工作台盘的环形真空带相吻合，当真空度达到设备允许值（即减薄设备在减薄过程中不会发生因真空度异常导致晶圆从工作台盘掉落的情况）后，设备才能开始进行减薄。由于以上原因，对于已碎裂或者本身已经是单独小块的晶圆，目前没有较好的处理手段来继续对其进行减薄，因为碎裂或者单独小块的晶圆已不具有完整性，此类不规则的晶圆无法与减薄设备的工作台盘真空带相吻合，减薄设备无法对其进行正常吸附，减薄过程无法继续进行。有些生产厂采用透明胶带粘贴的方式，将不规则晶圆贴于减薄设备工作台盘上面后继续进行减薄。由于减薄过程中有大量冷却水、切削水会对其不断地进行冲刷，透明胶带固定的方式被水冲刷后将完全没有牢固度，会导致减薄过程发生异常，甚至有可能损坏设备。所以一旦生产线上发生有硅圆片裂片甚至碎片的异常状况，权衡利弊，不规则晶圆通常都作报废处理。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种不规则晶圆的减薄方法，从不规则晶圆的“不完整性”着手，通过一种处理手段使其完整后再进行减薄，可以解决不规则晶圆无法与减薄设备工作台盘真空带吻合的问题，令不规则晶圆可以有效地被减薄设备的工作台盘吸附住，达到可以对其进行减薄的目的。本专利技术采用的技术方案是：一种不规则晶圆的减薄方法，包括下述步骤：步骤一，设定减薄设备减薄目标厚度；步骤二，测量并记录需要减薄的不规则晶圆的外形尺寸；步骤三，提供一片外形完整的陪片，陪片外缘尺寸与减薄设备的工作台盘的环形真空带相吻合；在陪片上确定需要切割的具体尺寸，并对所需切割的尺寸进行标记；陪片上需要切割的尺寸至少大于不规则晶圆的外形尺寸，便于不规则晶圆放入陪片切割后形成的空缺区域；步骤四，对步骤三中已作标记的陪片沿标记位置进行切割；步骤五，将步骤四中已切割陪片的中间部分取走，使其中间部位形成一个空缺区域；步骤六，将需减薄的不规则晶圆放置于步骤五中陪片形成的空缺区域，然后使用减薄膜粘贴在不规则晶圆和陪片正面，使得两者成为一个整体；步骤七，将步骤六形成的整体放置于减薄设备的工作台盘上并采用真空吸附的方式将其吸附住；步骤八，按所需减薄目标厚度对步骤七所述的已吸附在减薄设备工作台盘上的整体进行减薄。进一步地，步骤一中，设定的减薄设备减薄目标厚度=不规则晶圆减薄目标厚度+减薄膜厚度。步骤二中，测量并记录需要减薄的不规则晶圆的外形尺寸的具体步骤为：将不规则晶圆的不规则形状最长方向定义为X方向，尺寸记为L，将与X方向垂直的方向，定义为Y方向，尺寸记为W。步骤三中，在陪片上确定需要切割的具体尺寸，并对所需切割的尺寸进行标记，具体步骤为：（3-1），定义陪片的任意方向为X方向，刻画其长度，标记为L’，L’≥L；（3-2），对于陪片X方向垂直的Y方法，刻画其长度，标记为W’，W’≥W。步骤四中对步骤三中已作标记的陪片按确定的X、Y方向及其对应的L’、W’尺寸进行切割。步骤五中形成的空缺区域为矩形空缺区域，矩形尺寸X方向长度为L’、Y方向长度为W’。本专利技术的优点在于：本专利技术利用“合二为一”的思路，利用陪片进行减薄，是一种全新的减薄思路；本专利技术在不增加多余成本的情况下，解决了不规则晶圆无法减薄的问题，利用本专利技术所述的减薄方法，使原本只能报废的不规则晶圆可以继续被使用，可较大程度地节约成本；本专利技术所述的减薄方法减薄风险极低，减薄一致性好，可靠性高。附图说明图1为本专利技术的不规则晶圆放入陪片空缺区域的示意图。图2为本专利技术的方法流程图。具体实施方式下面结合具体附图和实施例对本专利技术作进一步说明。实施例1：一种不规则晶圆的减薄方法，不规则晶圆10为破碎晶圆，其外型不规则，不规则晶圆初始厚度630μm，目标需减薄至300μm。包括以下实施步骤：（1）设定减薄设备减薄目标厚度：由于在本方法中需要使用减薄膜，因此减薄设备减薄目标厚度=不规则晶圆减薄目标厚度+减薄膜厚度；（2）将不规则晶圆10的不规则形状最长方向定义为X方向，尺寸记为L，将与X方向垂直的方向，定义为Y方向，尺寸记为W；（3）取一片外形完整的陪片20，陪片20为一块外缘尺寸与减薄设备的工作台盘的环形真空带相吻合的晶圆，在其上用刻度尺及油性笔进行度量和标记：（3-1），定义陪片20的任意方向为X方向，刻画其长度，标记为L’，L’≥L；（3-2），对于陪片X方向垂直的Y方法，刻画其长度，标记为W’，W’≥W；（4）对步骤（3）中已作标记的陪片20，按确定的X、Y方向及其对应的L’、W’尺寸进行切割。此步骤可利用晶圆划片机进行。（5）将步骤（4）所处理的陪片20，沿切割部位顶开，取走中间部分，使其中间部位形成一个矩形空缺区域，矩形尺寸X方向长度为L’、Y方向长度为W’。（6）将需减薄的不规则晶圆10（其X方向尺寸为L、Y方向尺寸为W），放置于步骤（5）中陪片形成的矩形空缺区域（矩形区域X方向尺寸为L’、Y方向尺寸为W’），然后使用减薄膜粘贴在不规则晶圆10和陪片20正面，使两者形成一个整体；减薄膜起到连结不规则晶圆和陪片的作用，减薄膜使用现有技术中常规的型号即可，比如lintec公司的E-6142。（7）将步骤（6）处理完毕的整体，放置于减薄设备的工作台盘上并采用真空吸附的方式将其吸附住。（8）按所需减薄目标厚度对步骤（7）所述的已吸附在减薄设备工作台盘上的“整体”进行减薄。通常减薄是指对晶圆的背面进行减薄。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不规则晶圆的减薄方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤一，设定减薄设备减薄目标厚度；步骤二，测量并记录需要减薄的不规则晶圆的外形尺寸；步骤三，提供一片外形完整的陪片，陪片外缘尺寸与减薄设备的工作台盘的环形真空带相吻合；在陪片上确定需要切割的具体尺寸，并对所需切割的尺寸进行标记；陪片上需要切割的尺寸至少大于不规则晶圆的外形尺寸，便于不规则晶圆放入陪片切割后形成的空缺区域；步骤四，对步骤三中已作标记的陪片沿标记位置进行切割；步骤五，将步骤四中已切割陪片的中间部分取走，使其中间部位形成一个空缺区域；步骤六，将需减薄的不规则晶圆放置于步骤五中陪片形成的空缺区域，然后使用减薄膜粘贴在不规则晶圆和陪片正面，使得两者成为一个整体；步骤七，将步骤六形成的整体放置于减薄设备的工作台盘上并采用真空吸附的方式将其吸附住；步骤八，按所需减薄目标厚度对步骤七所述的已吸附在减薄设备工作台盘上的整体进行减薄。

【技术特征摘要】
1.一种不规则晶圆的减薄方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤一，设定减薄设备减薄目标厚度；步骤二，测量并记录需要减薄的不规则晶圆的外形尺寸；步骤三，提供一片外形完整的陪片，陪片外缘尺寸与减薄设备的工作台盘的环形真空带相吻合；在陪片上确定需要切割的具体尺寸，并对所需切割的尺寸进行标记；陪片上需要切割的尺寸至少大于不规则晶圆的外形尺寸，便于不规则晶圆放入陪片切割后形成的空缺区域；步骤四，对步骤三中已作标记的陪片沿标记位置进行切割；步骤五，将步骤四中已切割陪片的中间部分取走，使其中间部位形成一个空缺区域；步骤六，将需减薄的不规则晶圆放置于步骤五中陪片形成的空缺区域，然后使用减薄膜粘贴在不规则晶圆和陪片正面，使得两者成为一个整体；步骤七，将步骤六形成的整体放置于减薄设备的工作台盘上并采用真空吸附的方式将其吸附住；步骤八，按所需减薄目标厚度对步骤七所述的已吸附在减薄设备工作台盘上的整体进行减薄。2.如权利要求1所述的不规则晶圆的减薄方法，其特征在于：步骤一中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国华，李云海，
申请(专利权)人：无锡中微高科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32