【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例公开了一种制备用于原子层沉积高介电常数氧化物的亲水界面的方法，包括：制备硅基片；使用臭氧在硅基片的表面进行原子层沉积，在硅基片的表面沉积一层氧原子；使用水在沉积了一层氧原子的硅基片的表面进行原子层沉积。本专利技术的实施例的方法中，通过一个周期循环的臭氧和水在原子层沉积室内原位形成亲水性的界面氧化层，在此亲水性界面层上可以进行高质量HfO2的生长。【专利说明】
本专利技术涉及电子材料
，尤其是涉及一种制备用于原子层沉积高介电常数氧化物的亲水界面的方法和一种原子层沉积高介电常数氧化物的方法。
技术介绍
高介电常数氧化物(例如，氧化铪(HfO2)或者氧化锆)已成为半导体行业中主流的高k电介质材料。这是因为高介电常数氧化物具有一些优良的特性，如高的介电常数(大约20)、足够的绝缘性能、以及良好的热力学稳定性等等。 高质量HfO2只能通过原子层沉积(ALD)方法在亲水性表面上、即在羟键(OH键)终结的表面上生长获得。OH键终结对于Hf前驱体在硅表面上的化学吸附是至关重要的。 化学氧化物被广泛地用于提供富含...
【技术保护点】
一种制备用于原子层沉积高介电常数氧化物的亲水界面的方法，其特征在于，包括：制备硅基片；使用臭氧在所述硅基片的表面进行一个脉冲的原子层沉积，在所述硅基片的表面形成一层超薄氧化物层；使用水在沉积了一层超薄氧化物层的所述硅基片的表面进行一个脉冲的原子层沉积。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩蕾，李世彬，陈志，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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