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本发明涉及一种集成无源器件中去耦合电容结构及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底，作为去耦合电容的下极板，所述半导体衬底中掺杂有离子；在所述半导体衬底上形成图案化的硬掩膜层，并蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成沟槽，以定义所述去...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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