基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种基板处理方法和基板处理装置，其能够有效地除去受到会在摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分。一种基板处理方法，其对液晶显示面板中使用的摩擦处理完成后的基板进行处理，该基板处理方法为下述构成：其包括利用氮气溶解水对上述基板进行清洗的第1工序(11)，该氮气溶解水是使至少包含氮气的气体溶解于水中而成的，上述氮气溶解水的温度被调整为40℃以上且80℃以下的范围内。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置
本专利技术涉及对液晶显示面板中使用的基板进行处理的基板处理方法和基板处理装置，特别涉及对摩擦处理完成后的上述基板进行处理的基板处理方法和基板处理装置。在液晶显示面板的制造工序中，通常对在表面形成有取向膜(例如聚酰亚胺膜)的液晶基板进行摩擦处理。该摩擦处理中，在上述基板的取向膜的表面按压卷绕有例如尼龙制的摩擦布的辊，使该辊旋转从而使得上述摩擦布摩擦上述取向膜的表面。通过如此对基板的取向膜擦蹭摩擦布，取向膜(例如聚酰亚胺膜)表面的高分子链在一定方向被压坏，因此取向膜(高分子膜)产生各向异性，通过该取向膜的各向异性而规定了液晶分子的取向方向。通过这样的摩擦处理，取向膜(聚酰亚胺膜)的被磨削掉的渣料或受到来自尼龙制的摩擦布的氟离子的影响的取向膜成分(聚酰亚胺)会使基板表面被污染。此外，聚酰亚胺本身所含有的氟离子有时也会与其它物质结合，从而成为污染物质(氟化合物)。因此，需要对摩擦处理完成后的基板进行清洗。在该清洗摩擦处理完成后的基板的现有方法(例如参见专利文献1)中，在基板中的取向膜的表面形成有纯水的遮蔽层的状态下，将试剂覆盖在该基板表面。由此，在试剂的表面漂浮移动的尘垢不会以静电方式附着于被纯水的遮蔽层所被覆的取向膜表面，而被上述试剂冲洗掉。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-299234号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在上述摩擦处理完成后的基板的清洗中，不仅是取向膜的被磨削掉的渣料，能够有效地除去受到会在上述摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分(氟化合物)也很重要。但是，在上述现有的基板的清洗方法(处理方法)中，并未特别考虑受到氟离子的影响而产生的污染成分。本专利技术是鉴于这样的情况而进行的，提供一种基板处理方法和基板处理装置，其能够有效地除去受到会在摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分。用于解决问题的手段本专利技术的基板处理方法为下述构成：其是对液晶显示面板中使用的摩擦处理完成后的基板进行处理的基板处理方法，其包括利用氮气溶解水对上述基板进行清洗的第1工序，该氮气溶解水是将至少包含氮气的气体溶解于水中而成的，上述氮气溶解水的温度被调整为40℃以上且80℃以下的范围内。通过这样的构成，利用被调整为40℃以上且80℃以下的范围内的某个温度的氮气溶解水来清洗摩擦处理完成后的基板。在该清洗过程中，氮气溶解水的至少氮成分和水成分与受到会在摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分在40℃以上且80℃以下的范围内的某个温度下能够发生化学反应。本专利技术的基板处理方法中，可以为以下构成：包括利用特定的试剂对通过上述第1工序清洗后的上述基板进行清洗的第2工序。通过这样的构成，利用上述氮气溶解水清洗后的摩擦完成后的基板进一步用特定的试剂进行清洗。上述氮气溶解水的温度更优选可以调整为45℃以上且80℃以下的范围内，进一步优选可以调整为60℃以上且80℃以下的范围内。此外，本专利技术的基板处理装置为下述构成：其为对液晶显示面板中使用的摩擦处理完成后的基板进行处理的基板处理装置，所述基板处理装置具有：氮气溶解水生成部，其使至少包含氮气的气体溶解于水中而生成氮气溶解水；温度维持装置，其将在该氮气溶解水生成部生成的氮气溶解水维持为40℃以上且80℃以下的范围内的温度；和第1清洗部，其利用维持为上述温度范围内的温度的上述氮气溶解水来清洗上述基板。通过这样的构成，在第1清洗部，利用维持为40℃以上且80℃以下的范围内的某个温度的氮气溶解水来清洗摩擦处理完成后的基板。该清洗过程中，氮气溶解水的至少氮成分和水成分与受到会在摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分在40℃以上且80℃以下的范围内的某个温度下能够发生化学反应。专利技术的效果根据本专利技术的基板处理方法和基板处理装置，氮气溶解水的至少氮成分和水成分与受到会在摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分在40℃以上且80℃以下的范围内的某个温度下能够发生化学反应，因此能够有效地除去受到会在上述摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分。附图说明图1是示出本专利技术的基板处理装置的基本构成的图。图2是示出利用氮气溶解水进行清洗时的该氮气溶解水的温度与基板表面的粉粒(污染成分)的除去率的关系Q1、以及利用纯水进行清洗时的该纯水的温度与基板表面的粉粒(污染成分)的除去率的关系Q2的图。具体实施方式利用附图对本专利技术的实施方式进行说明。本专利技术的一个实施方式的基板处理装置如图1所示而构成。图1中，该基板处理装置10具有第1清洗室11(第1清洗部)、第2清洗室12(第2清洗部)、漂洗室13和空气干燥室14。作为清洗对象的摩擦处理完成后的液晶基板S利用搬运装置(图示略)依次通过串联排列的第1清洗室11、第2清洗室12、漂洗室13和空气干燥室14而进行搬运。被投入在该基板处理装置10中的基板S在表面形成有成为取向膜的聚酰亚胺膜，其表面为经摩擦处理后的状态。基板处理装置10还具有罐20，在罐20内贮存纯水(H2O)，同时供给氮气(N2气体)。在罐20(氮气溶解水生成部)内，氮气在纯水中鼓泡而生成氮气溶解水。在罐20附设有加热器装置21，基于来自设置于罐20内的温度检测器(图示略)的检测信号通过图示外的控制装置对加热器装置21进行通电控制，由此在罐20内生成的氮气溶解水的温度被调整为特定的温度。在第1清洗室11设置有具有两个以上的喷嘴的喷嘴装置111。上述两个以上的喷嘴在作为清洗对象物的基板S的搬运路径的上侧和下侧分别配置有特定数量。贮存于罐20中的氮气溶解水通过泵22供给至喷嘴装置111，该氮气溶解水从喷嘴装置111的各喷嘴向搬运路径喷出。从第1清洗室11的喷嘴装置111喷出的氮气溶解水被回收至罐20，通过泵22再次从罐20被供给至第1清洗室11的喷嘴装置111。这样，在第1清洗室11与罐20之间形成循环路径，贮存于罐20中的氮气溶解水反复，被用于在第1清洗室11中的基板S的清洗。在第2清洗室12也设置有喷嘴装置121，其具有配置于基板S的搬运路径的上侧和下侧的两个以上的喷嘴。向第2清洗室12的喷嘴装置121供给特定的试剂，试剂从喷嘴装置121的各喷嘴向搬运路径喷出。上述试剂是在摩擦处理完成后的基板S的清洗中通常使用的试剂，例如通过将1,2-己二醇或醇类、特定的添加物以及纯水按照特定比例调配来制作。在漂洗室13也设置有喷嘴装置131，其具有配置于基板S的搬运路径的上侧和下侧的两个以上的喷嘴。向漂洗室13的喷嘴装置131供给纯水，纯水从喷嘴装置131的各喷嘴向搬运路径喷出。此外，在空气干燥室14设置两个以上的气刀，高压空气从该两个以上的气刀向搬运路径喷出。在上述那样的基板处理装置10中，利用图示外的控制装置如下进行动作控制。在利用搬运装置所搬运的基板S通过第1清洗室11时，从喷嘴装置111的各喷嘴喷出的氮气溶解水被喷至基板S的两面。氮气溶解水在罐20内被调整为特定温度，在第1清洗室11中，基板S被该调整为特定温度的氮气溶解水所清洗(第1工序)。第1清洗室11中的基于氮气溶解水的处理(清洗)结束，利用搬运装置所搬运的基板S在通过第2清洗室12时，从喷嘴装置121的各喷嘴喷出的试剂(含有1,2-己二醇或醇类)被喷至基板S的两面。基板S在第2清洗室12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，其为对液晶显示面板中使用的摩擦处理完成后的基板进行处理的基板处理方法，其中，所述基板处理方法包括第1工序：利用使至少包含氮气的气体溶解于水中而成的氮气溶解水对所述基板进行清洗，所述氮气溶解水的温度被调整为40℃以上且80℃以下的范围内。

【技术特征摘要】
2013.09.30 JP 2013-203426;2014.08.07 JP 2014-161021.一种基板处理方法，其为对在表面形成有成为取向膜的聚酰亚胺膜并且所述聚酰亚胺膜为摩擦处理完成后的状态的液晶显示面板用基板进行处理的基板处理方法，其中，所述基板处理方法包括第1工序：利用使至少包含氮气的气体溶解于水中而成的氮气溶解水对所述基板进行清洗，所述氮气溶解水的温度被调整为45℃以上且80℃以下的范围内。2.一种基板处理方法，其为对在表面形成有成为取向膜的聚酰亚胺膜并且所述聚酰亚胺膜为摩擦处理完成后的状态的液晶显示面板用基板进行处理的基板处理方法，其中，所述基板处理方法包括以下工序：第1工序，利用使至少包含氮气的气体溶解于水中而成的氮气溶解水对所述基板进行清洗；第2工序，利用试剂对通过所述第1工序清洗后的所述基板进行清洗；和干燥工序，使通过所述第2工序清洗后的所述基板干燥，所述氮气溶解水的温度被调整为45℃以上且80℃以下的范围内。3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述氮气溶解...

【专利技术属性】
技术研发人员：大森圭悟，矶明典，今冈裕一，千岛理惠，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP