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本发明公开了一种垂直结构功率器件外延层的生长方法及其功率器件，该生长方法主要包括以下步骤：1）在光滑的衬底上生长一层或多层外延过渡层；2）对所述外延过渡层的表面进行部分蚀刻处理，以形成具有粗糙面的外延过渡层；3）在经过步骤2）处理后的所述外...
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