用于生产多晶硅电阻器的方法技术

用于生产多晶硅电阻器的方法。用于生产多晶硅电阻器装置的方法可包括：形成多晶硅层；将第一掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的至少一部分中，其中第一掺杂剂原子包括深能级施主；将第二掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的所述至少一部分中；以及使所述多晶硅层的所述至少一部分退火。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】。用于生产多晶硅电阻器装置的方法可包括：形成多晶硅层；将第一掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的至少一部分中，其中第一掺杂剂原子包括深能级施主；将第二掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的所述至少一部分中；以及使所述多晶硅层的所述至少一部分退火。【专利说明】
本公开涉及用于制造半导体部件中的多晶硅电阻器，特别是用于生产精确多晶硅电阻器(例如电阻温度传感器)并用于生产具有良好控制的温度系数的多晶硅电阻器的方法。
技术介绍
在介绍了硅平面技术的情况下，不仅像NMOS晶体管(N型金属氧化物半导体晶体管)、PM0S晶体管(P型金属氧化物半导体晶体管)和双极晶体管的有源部件，而且像电阻器的无源部件都被要求来有资格使用硅平面技术。如通常已知的，多结晶硅(或多晶硅)作为电阻器的使用在半导体器件的制造中是公知的。一般地，多晶硅电阻率随着增加的温度而增加或降低。增加的这个速率被称为电阻的温度系数。一方面，精确电阻器不仅要求稳定性和低散射的性质，而且要求相对高的薄层电阻来保持电阻器尽可能小。对于可简单地由具有I千欧姆/方块的薄层电阻的方块薄层的串联连接实现的高欧姆电阻器，且这样的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于生产多晶硅电阻器器件的方法，包括：形成多晶硅层；将第一掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的至少一部分中，其中所述第一掺杂剂原子包括深能级施主；将第二掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的所述至少一部分中；以及在注入所述第一掺杂剂原子和第二掺杂剂原子之后使所述多晶硅层的所述至少一部分退火。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：T格罗斯，H格鲁贝尔，W伊尔巴赫尔，HJ舒尔策，M冯博尔克，M聪德尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE