一种薄膜芯片制备方法技术

本发明专利技术涉及一种薄膜芯片制备方法，包括如下步骤：用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗；将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。本发明专利技术方法简单、操作过程简单，成本低廉，芯片性能稳定，易批量生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制作方法，尤其涉及。
技术介绍
半导体气敏元件分为烧结型、厚膜型和薄膜型。它们各自的结构，制作工艺不同，其性能特点也各异。目前，烧结元件逐步在被厚、薄膜元件代替。厚、薄膜元件具有灵敏度高、重复性、稳定性好、功耗低、寿命长等优点，但薄膜元件制作对工艺设备要求很高，制造成本高，不易产业化推广。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种方法简单、操作过程简单，成本低廉，芯片性能稳定，易批量生产的薄膜芯片制备方法。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:，包括如下步骤:用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗；将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。进一步，所述将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上步骤的具体实现如下:将质量比为10:1?20:1的PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上。进一步，所述用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理步骤的具体实现如下:用甩胶机在1000?2500rpm转速下涂布20?50s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约30?40 μ m，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在50?80°C温度条件下固化处理。进一步，所述将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗步骤的具体实现如下:将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗30?60s。本专利技术的有益效果是:1.方法简单、操作过程简单，成本低廉；2.芯片性能稳定，易批量生产。【附图说明】图1为本专利技术流程示意图。【具体实施方式】以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。如图1所示，，包括如下步骤:用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗；将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。实施例1:用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将1gPDMS前聚物与Ig固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机在100rpm转速下涂布20s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约30 μ m，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在50°C温度条件下固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗30s ;将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。实施例2:用光刻胶制作阳模,将制备好的阳模进行娃烧化处理；将15gPDMS前聚物与Ig固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机在1500rpm转速下涂布30s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约35 μ m，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在60°C温度条件下固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗50s ;将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。实施例3:用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将20gPDMS前聚物与Ig固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机在2500rpm转速下涂布50s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约40 μ m，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在80°C温度条件下固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗60s ;将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。 以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.，其特征在于，包括如下步骤: 用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理； 将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上； 用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理； 用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔； 将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗； 将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。2.根据权利要求1所述，其特征在于，所述将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上步骤的具体实现如下: 将质量比为10:1?20:1的PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上。3.根据权利要求1所述，其特征在于，所述用甩胶机涂布，形成均勻的PDMS薄膜,并固化处理步骤的具体实现如下: 用甩胶机在1000?2500rpm转速下涂布20?50s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约30?40 μ m,长和宽与底层PDMS芯片相同，并在50?80°C温度条件下固化处理。4.根据权利要求1所述，其特征在于，所述将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗步骤的具体实现如下: 将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗30?60s。【专利摘要】本专利技术涉及，包括如下步骤：用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗；将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。本专利技术方法简单、操作过程简单，成本低廉，芯片性能稳定，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜芯片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗；将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周祖渝，
申请(专利权)人：重庆市旭星化工有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;85