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一种薄膜芯片制备方法技术
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文档序号:11333541
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本发明涉及一种薄膜芯片制备方法,包括如下步骤:用光刻胶制作阳模,将制备好的阳模进行硅烷化处理;将PDMS前聚物与固化剂混合均匀,去除气泡,涂在经硅烷化处理的阳模上;用甩胶机涂布,形成均匀的PDMS薄膜,并固化处理;用打孔器在中层PDMS薄膜...
该专利属于重庆市旭星化工有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过重庆市旭星化工有限公司授权不得商用。
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