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本发明涉及一种半导体桥多晶硅制备方法，包括如下步骤：采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥，并溅射钛钨金；利用光刻法将电阻的两个端头露出，其余地方用光刻胶遮挡；以钛钨金为底金，进行电镀金；去掉光刻胶，腐蚀掉光刻...
该专利属于重庆市旭星化工有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆市旭星化工有限公司授权不得商用。

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