多晶硅在离子注入后的快速退火方法技术

本发明专利技术提供一种多晶硅在离子注入后的快速热退火（RapidThermalAnneal，RTA）方法，属于半导体多晶硅的制备技术领域。该方法用于将晶圆上的多晶硅在离子注入掺杂后进行掺杂激活以获得预定电阻范围内的多晶硅层，其中，在快速热退火的过程中，在向所述晶圆所处的快速热退火装置的腔室内通入氮气的同时，通入氧气以改善所述晶圆上的多晶硅的电阻的均匀性。该RTA方法所制备形成的多晶硅层的电阻均匀性好，成品率高并且制造成本低。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅在离子注入后的快速退火方法
本专利技术属于半导体多晶硅的制备
，涉及多晶硅在离子注入后的快速热退火（RapidThermalAnneal，RTA）方法。
技术介绍
在芯片制造领域，半导体多晶硅被广泛应用，例如，用来形成多晶硅栅电极，或者用来形成特定阻值的电阻。通常地，芯片中所应用的半导体多晶硅的制备过程一般包括以下步骤：（1）沉积形成未掺杂的多晶硅层（此时电阻大，不适合用作导体）；（2）通过离子注入（Ionimplantation，IMP）方法实现对多晶硅掺杂；（3）快速热退火以激活多晶硅掺杂。通常地，在以上快速热退火过程中，通入成本相对较低的N2作为保护气体。申请人发现，采用这种传统的RTA工艺对多晶硅掺杂激活时，容易导致晶圆上的多晶硅的电阻分布不均匀。图1所示为采用现有技术的RTA工艺所制得多晶硅的电阻分布情况。在图1所示实例中，分布在晶圆上的多晶硅经过RTA后，其电阻值分布非常不均匀，除了小部分多晶硅的电阻符合目标范围值（目标电阻范围：150-200Ω/□）要求外，其他均超出该目标范围值。因此，RTA工艺后多晶硅电阻均匀性差的问题，明显将导致良率大大下降。为避免这种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快速热退火方法，用于将晶圆上的多晶硅在离子注入掺杂后进行掺杂激活以获得预定电阻范围内的多晶硅层，其特征在于，在快速热退火的过程中，在向所述晶圆所处的快速热退火装置的腔室内通入氮气的同时，通入氧气以改善所述晶圆上的多晶硅的电阻的均匀性。

【技术特征摘要】
1.一种快速热退火方法，用于将晶圆上的多晶硅在离子注入掺杂后进行掺杂激活以获得预定电阻范围内的多晶硅层，其特征在于，在快速热退火的过程中，在向所述晶圆所处的快速热退火装置的腔室内通入氮气的同时，通入氧气以改善所述晶圆上的多晶硅的电阻的均匀性；其中，所述快速热退火装置具有作为晶圆的进出口的炉口。...

【专利技术属性】
技术研发人员：平梁良，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：