FinFET制造方法技术

本发明专利技术提供一种FinFET制造方法，通过在形成围绕所述鳍片两侧和上方的高k栅介质层的步骤之前或之后，在重氢和惰性气体的混合气氛围中对所述鳍片进行退火，消除鳍片中硅的悬挂键，减少鳍片界面处感生带隙态或氧空位，改善高k介质层中费米能级钉扎问题，平滑鳍片界面，从而减少高k介质层中的缺陷数量，抑制电荷陷阱影响，改善阈值电压漂移，提高FinFET器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种。
技术介绍
MOSFET (金属氧化半导体场效应晶体管)是大部分半导体器件的主要构件，当沟道长度小于IOOnm时，传统的MOSFET中，由于围绕有源区的半导体衬底的半导体材料使源极和漏极区间互动，漏极与源极的距离也随之缩短，产生短沟道效应，这样一来栅极对沟道的控制能力变差，栅极电压夹断(Pinch off)沟道的难度也越来越大，如此便使亚阀值漏电(Subthrehhold leakage)现象更容易发生。鳍式场效晶体管(Fin Field effect transistor, FinFET)是一种新的金属氧化半导体场效应晶体管，其结构通常在绝缘体上硅(SOI)基片上形成，包括狭窄而孤立的硅条(即垂直型的沟道结构，也称鳍片)，鳍片两侧带有栅极结构。FinFET结构使得器件更小，性倉泛。如图1所示，现有技术中一种FinFET器件的结构，包括:衬底10、直立于所述衬底10上的鳍片以及围绕在鳍片两侧及上方的导电栅极结构14，所述鳍片包括源极11、漏极12、鳍型沟道区13 ;所述导电栅极结构14通常围绕在鳍型沟道区13两侧及上方的栅介质层和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FinFET制造方法，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成外延层；在所述半导体衬底上形成用于制造FinFET鳍片的图案化的掩膜层；以所述图案化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述外延层至所述半导体衬底顶部，形成直立于所述半导体衬底上的鳍片；去除所述图案化的掩膜层；形成围绕所述鳍片两侧和上方的高k栅介质层；形成围绕在所述高k栅介质层外表面的栅极层；其特征在于，在形成围绕所述鳍片两侧和上方的高k栅介质层的步骤之前或之后，在重氢和惰性气体的混合气氛围中对所述鳍片进行退火。

【技术特征摘要】
1.一种FinFET制造方法，包括: 提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成外延层； 在所述半导体衬底上形成用于制造FinFET鳍片的图案化的掩膜层； 以所述图案化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述外延层至所述半导体衬底顶部，形成直立于所述半导体衬底上的鳍片； 去除所述图案化的掩膜层； 形成围绕所述鳍片两侧和上方的高k栅介质层； 形成围绕在所述高k栅介质层外表面的栅极层； 其特征在于，在形成围绕所述鳍片两侧和上方的高k栅介质层的步骤之前或之后，在重氢和惰性气体的混合气氛围中对所述鳍片进行退火。2.如权利要求1所述的FinFET制造方法，其特征在于，所述外延层的材质为硅、锗掺杂硅或碳掺杂硅。3.如权利要求1或2所述的FinFET制造方法，其特征在于，所述外延层的厚度为InnTlOnm04.如权利要求1或2所述的FinFET制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：