硅晶片的原子级平坦化表面处理方法及热处理装置制造方法及图纸

技术编号:9451638 阅读:118 留言:0更新日期:2013-12-13 12:39
本发明专利技术为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片,在所述晶片中不存在滑移线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:大见忠弘寺本章伸诹访智之
申请(专利权)人:国立大学法人东北大学
类型:
国别省市:

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