一种退火系统技术方案

本发明专利技术实施例提供一种退火系统，包括混合气体源与退火炉，所述混合气体源通过炉外进气管与所述退火炉的后端相连，所述混合气体源与所述炉外进气管之间设置有阀门，所述阀门与所述炉外进气管之间设置有流量计；其中，所述退火炉包括炉体和炉盖，所述炉体为圆柱体型结构，所述炉盖设置在所述退火炉的前端；所述混合气体源用于向所述退火系统提供氮气与氢气的混合气体，其中，所述氮气与氢气的比例在90%：10%~95%：5%之间。采用用于向退火系统提供氮气与氢气的混合气体源，在退火过程中，向退火炉中通入一定比例的氮气与氢气的混合气体，避免了由于退火系统发生故障导致退火炉中氢气含量过高的危险，能够极大地提高退火系统的安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种退火系统
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种退火系统。
技术介绍
在半导体衬底表面及半导体元器件表面通常存在大量悬挂键，这些悬挂键的存在会极大地影响衬底进而影响半导体器件的性能。在传统的半导体制造工艺中，通常采用氢原子来中和这些悬挂键，以减少衬底表面及元器件表面的缺陷，提高半导体器件的性能。通常，采用以下方式完成这一步骤：将半导体衬底或者半导体元器件置于退火炉中，向退火炉中通入一定比例的氢气和氮气的混合气，并通过加热方式使半导体衬底或者半导体元器件在一定温度下保持一定时间，以完成氢原子中和悬挂键的步骤，通入氮气的目的主要是载气的作用。现有技术中，该步骤一般采用退火系统来完成，该系统包括退火炉、氢气源、氮气源、过滤器、阀门、流量计等。但是，氢气为易燃易爆气体，如果退火过程中与氮气源相连的阀门无法打开，无法向退火炉中输入氮气，或者，与氢气源相连的流量计故障，导致氢气源源不断地输入退火炉造成退火炉中的氢气含量过高，都会造成很大的安全隐患。所以，该系统在退火过程中的危险性非常高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种安全性较高的退火系统，以解决现有技术中退火系统在退火本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种退火系统，包括混合气体源与退火炉，其特征在于，所述混合气体源通过第一炉外进气管与所述退火炉的后端相连，所述混合气体源与所述第一炉外进气管之间设置有第一阀门；其中，所述退火炉包括炉体和炉盖，所述炉体为圆柱体型结构，所述炉盖设置在所述退火炉的前端；所述混合气体源用于向所述退火系统提供氮气与氢气的混合气体，其中，所述混合气体中氮气与氢气的比例在90%：10%~95%：5%之间。

【技术特征摘要】
1.一种退火系统，包括混合气体源与退火炉，其特征在于，所述混合气体源通过第一炉外进气管与所述退火炉的后端相连，所述混合气体源与所述第一炉外进气管之间设置有第一阀门；其中，所述退火炉包括炉体和炉盖，所述炉体为圆柱体型结构，所述炉盖设置在所述退火炉的前端；所述炉盖为非密封门；所述混合气体源用于向所述退火系统提供氮气与氢气的混合气体，以避免由于退火系统发生故障导致退火炉中氢气含量过高而造成的危险，其中，所述混合气体中氮气与氢气的比例在90％∶10％～95％∶5％之间。2.根据权利要求1所述的退火系统，其特征在于，所述系统还包括氮气气体源，所述氮气气体源通过第二炉外进气管与所述退火炉的后端相连；所述氮气气体源与所述第二炉外进气管之间设置有第二阀门；其中，所述氮气气体源用于向所述退火系...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊文娟，王大海，蒋浩杰，李俊峰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：