【技术实现步骤摘要】
—种LED芯片退火装置
本专利技术涉及LED芯片制造设备，进一步是指用于LED芯片制作设备中的退火装置。
技术介绍
LED作为新型照明方式备受人们的关注。随着器件研发的深入，其芯片的制备变得越来越受重视。目前，我国超高亮度LED外延芯片的技术水平明显提升，在外延生长、芯片制造方面展开多方位的研究，如采用不同衬底(S1、SiC)上生长GaN外延片、有图形化衬底外延、非极性外延、衬底转移、激光剥离、共晶焊接、ITO电极、表面粗化和光子晶体等新结构、新技术、新工艺的研究，国内在LED芯片制备生产线上使用烘干炉或手动的低温退火炉，退火速度慢，效率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对现有技术的不足，提供一种LED芯片退火装置，可实现晶圆的批量快速退火，提高效率。 本专利技术的技术方案为，一种LED芯片退火装置，包括储存晶圆的晶圆盒、对晶圆进行退火处理的工艺腔，所述工艺腔的腔体内部设置石英隔离腔，并在石英隔离腔与工艺腔的内壁之间均匀设有卤素灯管；所述晶圆盒的输出端口外侧设有与晶圆盒在同一水平面的可容纳一个晶圆的缓存站，并在晶圆盒的底部设有向缓存站输送晶圆的输送带；该退火装置还包括托盘，所述缓存站置于托盘与晶圆盒之间，托盘的顶面设有多个晶圆格，每个晶圆格内可容纳一个晶圆，所述退火装置还设有将晶圆盒内的晶圆运送至拖盘各晶圆格内的输送机构；所述托盘安装在与驱动机构连接的支架上，所述支架经驱动机构驱动而带动托盘进入工艺腔的隔离腔内部。 未退火晶圆由输送带将其输送到缓存站上，由输送机构的电缸升降轴上的伯努力吸盘吸好后放置在批处理的托...
【技术保护点】
一种LED芯片退火装置，包括储存晶圆（8）的晶圆盒（7）、对晶圆（8）进行退火处理的工艺腔（1），其特征是，所述工艺腔（1）的腔体内部设置石英隔离腔，并在石英隔离腔与工艺腔（1）的内壁之间均匀设有卤素灯管；所述晶圆盒（7）的输出端口外侧设有与晶圆盒（7）在同一水平面的可容纳一个晶圆（8）的缓存站（5），并在晶圆盒（7）的底部设有向缓存站（5）输送晶圆的输送带（4）；该退火装置还包括托盘（6），所述缓存站（5）置于托盘（6）与晶圆盒（7）之间，托盘（6）的顶面设有多个晶圆格（11），每个晶圆格（11）内可容纳一个晶圆（8），所述退火装置还设有将晶圆盒（7）内的晶圆（8）运送至拖盘各晶圆格（11）内的输送机构；所述托盘（6）安装在与驱动机构连接的支架（10）上，所述支架（10）经驱动机构驱动而带动托盘（6）进入工艺腔（1）的隔离腔内部。
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片退火装置，包括储存晶圆(8)的晶圆盒(7)、对晶圆(8)进行退火处理的工艺腔(1)，其特征是，所述工艺腔(I)的腔体内部设置石英隔离腔，并在石英隔离腔与工艺腔(I)的内壁之间均匀设有卤素灯管；所述晶圆盒(7)的输出端口外侧设有与晶圆盒(7)在同一水平面的可容纳一个晶圆(8)的缓存站(5)，并在晶圆盒(7)的底部设有向缓存站(5)输送晶圆的输送带(4);该退火装置还包括托盘(6)，所述缓存站(5)置于托盘(6)与晶圆盒(7)之间，托盘(6)的顶面设有多个晶圆格(11)，每个晶圆格(11)内可容纳一个晶圆(8),所述退火装置还设有将晶圆盒(7)内的晶圆(8)运送至拖盘各晶圆格(11)内的输送机构；所述托盘(6)安装在与驱动机构连接的支架(10)上，所述支架(10)经驱动机构驱动而带动托盘(6 )进入工...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁卫华，钟新华，彭立波，张赛，易文杰，舒勇东，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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