【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种改善半导体器件电性参数的方法，应用于采用应力记忆技术的半导体器件制备工艺中，其特征在于，所述方法包括：提供一表面设置有栅极结构的衬底，且该衬底中临近所述栅极结构的两侧设置有漏区和源区；制备缓冲层覆盖所述栅极结构的表面和所述衬底暴露的表面；制备应力层覆盖所述缓冲层的表面；对所述应力层进行刻蚀，以部分保留覆盖于所述栅极结构表面的应力层；采用峰值退火工艺对所述衬底和栅极进行热处理；采用激光退火工艺对所述衬底和栅极进行热处理，以阻止所述源区和漏区中的离子进一步扩散；去除剩余的应力层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢博圣，钱俊，王艳生，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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