【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种含有SiNx插入层的极性c面GaN基的半导体器件的制备方法,所述的制备方法包括如下步骤:(1)将c面蓝宝石衬底置于金属有机物化学气相淀积(MOCVD)反应室中,并向反应室通入氢气与氨气的混合气体,对衬底基片进行热处理,反应室的起始真空度小于2×10?2Torr,衬底加热温度为900?1200℃,时间为5?10min,通入混合气之后反应室压力为20?760Torr;(2)在温度为580?620℃的情况下,在热处理后的c面蓝宝石衬底上生长厚度为10?30nm低温AlN成核层;(3)在温度为950?1000℃的情况下,在低温AlN成核层上再生长厚度为150?180nm的高温AlN成核层;(4)通入镓源和氨气,在所述AlN成核层之上生长厚度为1000?2000nm的极性c面GaN缓冲层;(5)将生长完缓冲层的c面GaN材料放入等离子体增强化学气相淀积(PECVD)反应室,并向反应室中通入氨气和硅烷,在200?250℃以及压力为600?800mTorr下反应生成一层SiNx作为材料的插入层,反应时间为3?9s;(6)将器件放置在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)反应室中,在所述SiNx插入 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张进成,曹荣涛,许晟瑞,郝跃,温慧娟,聂哲颢,彭茗诗,史阳楠,
申请(专利权)人:西安电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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