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本发明公开了含有SiNx插入层的极性c面GaN基的半导体器件的制备方法，其步骤是：（1）将c面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中，通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；（2）在衬底上生长厚度为10-30nm，温度为580-620℃的低温...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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