【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
IC2微米厚铝刻蚀工艺方法，其特征是：先采用高定向性的用干法等离子刻蚀机和刻蚀技术刻蚀厚铝层的大部分厚度，再采用后续的喷雾式湿法刻蚀以完成对厚铝层刻蚀的线条分辨率、彻底性、边缘的整齐性修饰，包括以下步骤：1）在硅衬底片的铝层表面涂覆正性光刻胶，胶层厚度为2.45?2.50微米；2）对涂覆的正性光刻胶按传统铝光刻曝光工艺操作直至显影，获取所需光刻胶图案，显影后进行140℃烘烤20分钟后，在室温下冷却30分钟；3）对步骤2）获取的光刻胶图案进行干法铝刻蚀：设备采用ATM?8300等离子刻蚀机；材料电子纯：?Cl2、BCl3、CHF3、N2；其步骤如下：a)刻蚀机抽真空到20毫乇...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：包琴凤，朱杰，
申请(专利权)人：扬州晶新微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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