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IC2微米厚铝刻蚀工艺方法，属于半导体集成电路器件工艺制造的厚铝层刻蚀的技术领域。先采用高定向性的用干法等离子刻蚀机和刻蚀技术刻蚀厚铝层的大部分厚度，再采用后续的喷雾式湿法刻蚀以完成对厚铝层刻蚀的线条分辨率、彻底性、边缘的整齐性修饰。本发明...
该专利属于扬州晶新微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州晶新微电子有限公司授权不得商用。

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