含硅膜的蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术可抑制基底膜的蚀刻，且没有残渣且高速率地对硅或氧化硅的含硅膜进行蚀刻。本发明专利技术中使含有氟系反应成分和氧化性反应成分的处理气体与被处理物(90)接触，对基底膜(92)上的含硅膜(93)进行蚀刻。利用流速调节机构(60)，根据蚀刻的进行使处理气体在被处理物(90)上的流速发生变化。优选调节处理气体的流量使气体流速发生变化。更优选在处理气体供给体系(10)中混合流速调节用气体或停止混合，调节处理气体的流量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对无定型硅或氧化硅等含有硅原子的含硅膜进行蚀刻的方法及装置。
技术介绍
氧化硅膜可通过含有氟化氢等氟系反应气体的处理气体进行蚀刻。无定型硅等几乎全部由硅原子构成的硅膜可通过混合了氟化氢等氟系反应气体和臭氧等氧化性反应气体的处理气体进行蚀刻。例如，在专利文献1、2中记载了 利用臭氧使晶片表面的硅氧化，形成氧化硅(式I)，在此基础上使用氢氟酸进行蚀刻。氢氟酸在氢氟酸蒸汽发生器中被蒸发，再将其导入晶片表面。专利文献3中记载了 通过在CF4等氟系气体中引发大气压附近放电而生成HF、COF2等，COF2与事先混合于CF4等中的水反应而生成HF(式2)，通过由上述方式得到的HF对氧化硅进行蚀刻(式3)。

【技术保护点】
一种含硅膜的蚀刻装置，是对基底膜上层叠了含硅膜的被处理物进行蚀刻的装置，其特征在于，具有：将含有氟系反应成分的处理气体供给于所述被处理物的处理气体供给体系；和使所述处理气体在被处理物上的流速根据蚀刻的进行而发生变化的流速调节机构。

【技术特征摘要】
2008.09.25 JP 2008-2457441.一种含硅膜的蚀刻装置，是对基底膜上层叠了含硅膜的被处理物进行蚀刻的装置，其特征在于，具有 将含有氟系反应成分的处理气体供给于所述被处理物的处理气体供给体系；和 使所述处理气体在被处理物上的流速根据蚀刻的进行而发生变化的流速调节机构。2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于， 所述流速调节机构随着蚀刻的进行而增大所述流速。3.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于， 所述流速调节机构随着蚀刻的进行而阶段性地增大所述流速。4.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于， 所述流速调节机构直到在所述含硅膜的要蚀刻的部分中的大部分被蚀刻为止使所述流速相对较小，在蚀刻残留的含硅膜时使所述流速相对较大。5.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于， 所述流速调节机构调节所述处理气体的流量。6.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于， 所述处理气体供给体系包括 形成大气压附近的等离子体空间的等离子体生成部；和 将成为所述氟系反应成分的含有氟系原料且添加了 H20或含OH基的化合物的氟系原料气体导入所述等离子体空间的原料供给线， 其中，所述流速调节机构在所述原料供给线中混合流速调节用气体或者停止混合，且根据该流速调节用气体的流量调节所述流速。7.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于， 所述处理气体供给体系包括 形成大气压附近的等离子体空间的等离子体生成部；和 将成为所述氟系反应成分的含有氟系原料且添加了 H20或含OH基的化合物的氟系原料气体导入所述等离子体空间的原料供给线， 其中，所述流速调节机构在所述等离子体空间的下游侧的处理气体供给体系中混合流速调节用气体或者停止混合，且根据该流速调节用气体的流量调节所述流速。8.根据权利要求5所述的蚀刻装置，其特征在于， 所述处理气体供给体系包括 将含有所述氟系反应成分的氟系反应气体供给于所述被处理物的氟系反应气体供给体系；和 将含有氧化性反应成分的氧化性反应气体供给于所述被处理物的氧化性反应气体供给体系， 其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：功刀俊介，佐藤崇，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：