一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层中形成一金属铝层；在所述金属铝层上依次形成底部抗反射涂层和光刻胶，对所述金属铝层进行图形化处理；采用等幅波等离子体对所述经图形化的金属铝层进行主蚀刻；采用脉冲等离子体对所述经图形化的金属铝层进行过蚀刻；去除所述底部抗反射涂层和光刻胶。根据本发明专利技术，可以在形成铝衬垫的过程中避免所采用的蚀刻等离子体导致的等离子体诱导损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种铝衬垫(Al-Pad)的蚀刻方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，形成铝衬垫时采用的蚀刻工艺被认为是导致等离子体诱导损伤(plasma induced damage)的来源之一。在所述蚀刻过程中，当接近蚀刻终点时,被蚀刻的铝变得很薄，其累积了大量的所述蚀刻等离子体所诱导产生的正电荷。在蚀刻过程所产生的电场的作用下，半导体衬底中的电子向所述很薄的铝金属层移动，从而导致栅氧化层的击穿，即所述等离子体诱导损伤。因此，需要提出一种方法，以解决上述问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供，包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层中形成一金属铝层；在所述金属铝层上依次形成底部抗反射涂层和光刻胶，对所述金属铝层进行图形化处理；采用等幅波等离子体对所述经图形化的金属铝层进行主蚀刻；采用脉冲等离子体对所述经图形化的金属铝层进行过蚀刻；去除所述底部抗反射涂层和光刻胶。进一步，所述绝缘层为具有低介电常数的材料层。进一步，当所述被蚀刻的金属铝层的厚度达到所述等幅波等离子体蚀刻终点的控制点时，所述主蚀刻终止。进一步，所述脉冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层中形成一金属铝层；在所述金属铝层上依次形成底部抗反射涂层和光刻胶，对所述金属铝层进行图形化处理；采用等幅波等离子体对所述经图形化的金属铝层进行主蚀刻；采用脉冲等离子体对所述经图形化的金属铝层进行过蚀刻；去除所述底部抗反射涂层和光刻胶。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括: 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层中形成一金属铝层； 在所述金属铝层上依次形成底部抗反射涂层和光刻胶，对所述金属铝层进行图形化处理； 采用等幅波等离子体对所述经图形化的金属铝层进行主蚀刻； 采用脉冲等离子体对所述经图形化的金属铝层进行过蚀刻； 去除所述底部抗反射涂层和光刻胶。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，胡敏达，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：