【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及。
技术介绍
目前,在对于3D-1C(三维晶片)、背照式互补型影像传感器的制造等,都需要将器件晶圆背面进行减薄后再进行后续工艺。现有的减薄工艺首先将器件晶圆和载片键合,然后对器件晶圆背面进行研磨,然后对器件进行三次湿法蚀刻,将器件晶圆蚀刻到要求的厚度。研磨在减薄工艺中减薄速率快,是简报工艺中必不可少的工艺之一,但是研磨容易造成晶圆产生裂纹,增加晶圆的内应力,使得晶圆在随后的工艺中易造成破片现象,并且表面厚度差异明显,湿法蚀刻减薄速率慢,能在一定的程度上缓解研磨产生的内应力,并且可以使得表面有更好的厚度均匀性,但是,湿法蚀刻并不能完全地消除研磨后的器件晶圆的内应力,所以在现有技术的工艺过程中,器件晶圆仍然会有较高的几率发生破片现象,这样不仅会影响器件晶圆生产过程中的成品率,还会浪费材料。所以急需一种能解决器件晶圆破片的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种解决在晶圆减薄过程中产生内应力导致晶圆破片的解决晶圆破片的方法。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:,包括以下步骤:步骤一,将器件晶圆与载片进行键合,键合后的器件晶圆包括载片、器件晶圆外延层和器件晶圆体衬底,所述的器件晶圆外延层处于载片和器件晶圆体衬底之间;步骤二,对器件晶圆背面研磨,减薄器件晶圆体衬底的厚度;步骤三,对器件晶圆进行退火;步骤四,对器件晶圆进行第一次湿法蚀刻,再次减薄器件晶圆体衬底的厚度;步骤五,对器件晶圆进行第二次湿法蚀刻,刻蚀掉剩余器件晶圆体衬底;步骤六,对器件晶圆进行第三次湿法蚀刻,将器件晶圆减薄至要求厚度。在上述技术方案 ...
【技术保护点】
一种解决晶圆破片的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,将器件晶圆与载片进行键合,键合后的器件晶圆包括载片、器件晶圆外延层和器件晶圆体衬底,所述的器件晶圆外延层处于载片和器件晶圆体衬底之间;步骤二,对器件晶圆背面研磨,减薄器件晶圆体衬底的厚度;步骤三,对器件晶圆进行退火;步骤四,对器件晶圆进行第一次湿法蚀刻,再次减薄器件晶圆体衬底的厚度;步骤五,对器件晶圆进行第二次湿法蚀刻,刻蚀掉剩余器件晶圆体衬底;步骤六,对器件晶圆进行第三次湿法蚀刻,将器件晶圆减薄至要求厚度。
【技术特征摘要】
1.一种解决晶圆破片的方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤一,将器件晶圆与载片进行键合,键合后的器件晶圆包括载片、器件晶圆外延层和器件晶圆体衬底,所述的器件晶圆外延层处于载片和器件晶圆体衬底之间; 步骤二,对器件晶圆背面研磨,减薄器件晶圆体衬底的厚度; 步骤三,对器件晶圆进行退火; 步骤四,对器件晶圆进行第一次湿法蚀刻,再次减薄器件晶圆体衬底的厚度; 步骤五,对器件晶圆进行第二次湿法蚀刻,刻蚀掉剩余器件晶圆体衬底; 步骤六,对器件晶圆进行第三次湿法蚀刻,...
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