一种键合后晶圆退火方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种键合后晶圆退火方法。本发明专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种键合晶圆退火技术的优化，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将键合后的晶圆以低于15℃/min的加温速率从室温加热至300℃；步骤二，将步骤一后的晶圆在300℃下保温1小时以上；步骤三，将步骤二后的晶圆以低于20℃/min的降温速率降温至室温。本发明专利技术的有益效果是：在退火的过程中，以较低的速率缓慢升温和以较低的速率缓慢降温，基本不用对现有的设备进行改动，整个退火过程只需要一次升温和一次降温，控制简单，操作方便，简化了现有退火工艺，并且有效地避免了升温和降温的速率过快导致晶圆的破片，提高了产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
晶圆键合技术在微机电系统(MEMS)，发光二级管(LED)，背照式影像传感器等方面广泛应用，晶圆在键合后会形成的巨大压力，目前常用的解决方法是在晶圆键合后对其进行退火处理。现有的退火方式是，在晶圆键合后，将其放入腔体中，然后在时间段101期间通过加热装置迅速将墙体内的温度加热到300°c，然后在时间段102期间再以5°C /min的加热速率将腔体内的温度继续升高至400°C，在时间段103期间保持腔体内400°C，时间段103通常为一个小时，再在时间段104期间以5°C /min的降温速率将腔体内的温度降至300°C，然后在时间段105期间迅速降低腔体内的温度，将腔内的温度降至室温。现有的这种退火方式虽然在一定程度上降低了在键合后形成的巨大压力，但是由于在退火的过程中，温度有室温升到300°C和有300°C降到室温的速率过快，使得在退火的过程中晶圆容易发生破片的现象，通常采用现有的退火工艺会有I 2%的破片产生。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种能有效地降低在退火过程中破片几率，提高产能的键合晶圆退火方法。本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种键合后晶圆退火方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将键合后的晶圆置于腔体内以低于15℃/min的加温速率从室温加热至300℃；步骤二，将步骤一处理后的晶圆在300℃下保温1小时以上；步骤三，将步骤二处理后的晶圆以低于20℃/min的降温速率降温至室温。

【技术特征摘要】
1.一种键合后晶圆退火方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤一，将键合后的晶圆置于腔体内以低于15°c /min的加温速率从室温加热至300 0C ； 步骤二，将步骤一处理后的晶圆在300°C下保温I小时以上； 步骤三，将步骤二处理后的晶圆以低于20°C /min的降温速率降温至室温。2.根据权利要求1所述的一种键合后晶圆退火方法，其特征是:...

【专利技术属性】
技术研发人员：李平，
申请(专利权)人：陆伟，
类型：发明
国别省市：