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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种键合后晶圆退火方法。本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种键合晶圆退火技术的优化，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将键合后的晶圆以低于15℃/min的加温速率从室温加热至300℃；步骤二，将步骤一...
该专利属于陆伟所有，仅供学习研究参考，未经过陆伟授权不得商用。

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