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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种解决晶圆破片的方法，包括以下步骤：步骤一，将器件晶圆与载片进行键合，键合后器件晶圆外延层处于载片和器件晶圆体衬底之间；步骤二，对器件晶圆背面研磨，减薄器件晶圆体衬底的厚度；步骤三，对器件晶圆进行退火；步...
该专利属于陆伟所有，仅供学习研究参考，未经过陆伟授权不得商用。

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