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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层中形成一金属铝层；在所述金属铝层上依次形成底部抗反射涂层和光刻胶，对所述金属铝层进行图形化处理；采用等幅波等离子体对所述经图形化的金属铝层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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