平坦化半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种平坦化半导体装置的方法，包括以下步骤。提供一基板，其上方形成一终止层。形成一沟槽，在该基板中。沉积一第一半导体层，均匀覆盖该终止层以及该沟槽。沉积一第二半导体层，填满该沟槽并且覆盖该第一半导体层。进行一化学机械研磨程序，直到该终止层被曝露出来。该化学机械研磨程序对于该第一半导体层的移除速率高于对于该第二半导体层的移除速率。

【技术实现步骤摘要】
201410697179

【技术保护点】
一种平坦化半导体装置的方法，包括以下步骤：提供一基板，其上方形成一终止层；形成一沟槽，在该基板中；沉积一第一半导体层，均匀覆盖该终止层以及该沟槽；沉积一第二半导体层，填满该沟槽并且覆盖该第一半导体层；以及进行一化学机械研磨程序，直到该终止层被曝露出来；其中该化学机械研磨程序对于该第一半导体层的移除速率高于对于该第二半导体层的移除速率。

【技术特征摘要】
1.一种平坦化半导体装置的方法，包括以下步骤：
提供一基板，其上方形成一终止层；
形成一沟槽，在该基板中；
沉积一第一半导体层，均匀覆盖该终止层以及该沟槽；
沉积一第二半导体层，填满该沟槽并且覆盖该第一半导体层；以及
进行一化学机械研磨程序，直到该终止层被曝露出来；
其中该化学机械研磨程序对于该第一半导体层的移除速率高于对于该
第二半导体层的移除速率。
2.如权利要求1所述的方法，还包括在形成该终止层之前的一步骤：形
成一衬垫氧化层于该基板上。
3.如权利要求1所述的方法，还包括在沉积该第一半导体层之前的一步
骤：形成一内衬氧化层，均匀覆盖该终止层以及该沟槽。
4.如权利要求3所述的方法，还包括在形成该内衬氧化层之后的一步
骤：各向异性地移除该终止层上的该内衬氧化层。
5.如权利要求4所述的方法，其中该终止层上的该内衬氧化层以等离子
体辅助蚀刻法移除。
6.如权利要求1所述的方法，其中该终止层包括氮化硅。
7.如权利要求1所述的方法，其中该终止层的厚度约为1500至8.如权利要求7所述的方法，其中该终止层的厚度约为9.如权利要求1所述的方法，其中该沟槽的宽度约为...

【专利技术属性】
技术研发人员：方伟南，陈建勋，庄子仪，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71