薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管的制作方法包括：在基板上形成过渡层；对所述过渡层进行构图形成过渡层保留区域和过渡层未保留区域，所述过渡层未保留区域对应第一结构层的图形，其中所述过渡层保留区域的表面具有凹凸结构；在形成有所述过渡层的图形的基板上形成用于形成所述第一结构层的材料层；除去所述过渡层，所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形。本发明专利技术的技术方案能够避免膜层残留不良，提高阵列基板的良品率。

【技术实现步骤摘要】
201610073355

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成过渡层；对所述过渡层进行构图形成过渡层保留区域和过渡层未保留区域，所述过渡层未保留区域对应第一结构层的图形，其中所述过渡层保留区域的表面具有凹凸结构；在形成有所述过渡层的图形的基板上形成用于形成所述第一结构层的材料层；除去所述过渡层，所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成过渡层；
对所述过渡层进行构图形成过渡层保留区域和过渡层未保留区域，所述过渡层未保留
区域对应第一结构层的图形，其中所述过渡层保留区域的表面具有凹凸结构；
在形成有所述过渡层的图形的基板上形成用于形成所述第一结构层的材料层；
除去所述过渡层，所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述过渡层的材料为光
刻胶材料。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一结构层为有源
层。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述过渡层为正性光刻
胶，形成表面具有凹凸结构的所述过渡层保留区域包括：
采用灰色调掩膜板对所述过渡层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括有不透光区域、半
透光区域和完全透光区域；
显影后形成对应所述不透光区域的所述过渡层保留区域的第一部分、对应所述半透光
区域的所述过渡层保留区域的第二部分和对应所述完全透光区域的所述过渡层未保留区
域，其中，所述第一部分的过渡层的厚度大于所述第二部分的过渡层的厚度。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述过渡层为负性光刻
胶，形成表面具有凹凸结构的所述过渡层保留区域包括：
采用灰色调掩膜板对所述过渡层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括有不透光区域、半
透光区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：林子锦，赵海生，裴晓光，彭志龙，孙东江，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11