晶片材料去除制造技术

一个示例公开了用于晶片材料去除的系统，该系统包括：晶片结构图，识别具有第一位置的第一器件结构和具有第二位置的第二器件结构；材料去除控制器，耦接至所述结构图，并且具有材料去除波束功率电平输出信号和材料去除波束接通/关断状态输出信号；其中，材料去除控制器被配置为选择与第一位置相对应的第一材料去除波束功率电平和第一材料去除波束接通/关断状态；并且其中，材料去除控制器被配置为选择与第二位置相对应的第二材料去除波束功率电平和第二材料去除波束接通/关断状态。另一个示例公开了一种物品，包括至少一个非瞬时性有形机器可读存储介质，该非瞬时性有形机器可读存储介质包含用于晶片材料去除可执行机器指令。

【技术实现步骤摘要】
201510916882

【技术保护点】
一种用于晶片材料去除的系统，包括：晶片结构图，识别具有第一位置的第一器件结构和具有第二位置的第二器件结构；材料去除控制器，耦接至所述结构图，并且具有材料去除波束功率电平输出信号和材料去除波束接通/关断状态输出信号；其中，所述材料去除控制器被配置为选择与所述第一位置相对应的第一材料去除波束功率电平和第一材料去除波束接通/关断状态；并且其中，所述材料去除控制器被配置为选择与所述第二位置相对应的第二材料去除波束功率电平和第二材料去除波束接通/关断状态。

【技术特征摘要】
2014.12.11 US 14/566,7611.一种用于晶片材料去除的系统，包括：
晶片结构图，识别具有第一位置的第一器件结构和具有第二位置
的第二器件结构；
材料去除控制器，耦接至所述结构图，并且具有材料去除波束功
率电平输出信号和材料去除波束接通/关断状态输出信号；
其中，所述材料去除控制器被配置为选择与所述第一位置相对应
的第一材料去除波束功率电平和第一材料去除波束接通/关断状态；并
且
其中，所述材料去除控制器被配置为选择与所述第二位置相对应
的第二材料去除波束功率电平和第二材料去除波束接通/关断状态。
2.根据权利要求1所述的系统：
其中，所述系统是以下中的至少一个：用于晶片开槽的系统或用
于晶片切割的系统。
3.根据权利要求1所述的系统：
其中，所述晶片结构图基于来自以下中的至少一个的信息来识别
所述器件结构和位置：晶片刻线的集合或晶片表面的扫描。
4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述晶片结构图与第一器件
结构相关联：器件结构属性；器件结构起始位置；以及器件结构停止
位置。
5.根据权利要求4所述的系统：
其中，所述器件结构属性是以下中的至少一个：器件结构厚度、
器件结构密度、器件结构材料、器件结构深度或器件结构层的数量。
6.根据权利要求1所述的系统：
其中，所述第一器件结构是以下中的至少一个：锯切线、锯切线
交叉点、过程控制设备、低k电介质材料、材料结构、多层结构、集成
电路、氧化层或聚合物层。
7.根据权利要求1所述的系统：
还包括晶片材料去除图，该晶片材料去除图识别与所述第一位置

\t的一部分相对应的先前材料去除位置；
其中，所述材料去除控制器被配置为选择与所述先前材料去除位
置相对应的第三材料去除波束功率电平和第三材料去除波束接通/关
断状态；并且
其中，所述第三材料去除波束功率电平小于所述第一材料去除波
束功率电平。
8.根据权利要求7所述的系统：
其中，与所述第一位置的一部分相对应的所述先前材料去除位置
是锯切线交叉点。
9.根据权利要求7所述的系统：
其中，所述材料去除控制器被配置为选择与在所述先前材料去除
位置处的器件结构深度相对应的所述第三材料去除波束功率电平和所
述第三材料去除波束接通/关断状态。
10.根据权利要求1所述的系统：
还...

【专利技术属性】
技术研发人员：萨沙·默勒，托马斯·罗勒德，古伊多·阿尔贝曼，马丁·拉普克，哈特莫特·布宁，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL